[实用新型]用于双面镀膜的石墨舟片及石墨舟有效
| 申请号： | 201420625377.1 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN204130510U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 黄纪德;蒋方丹;金井升;金浩;陈康平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 双面 镀膜 石墨 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位；
所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。
2.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于，每个镂空硅片位上设置2个～5个硅片卡件。
3.根据权利要求2所述的石墨舟片，其特征在于，所述镂空硅片位为四边形；
所述四边形的镂空硅片位的四个侧边中至少1个不设置硅片卡件。
4.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于，所述硅片卡件为V型。
5.根据权利要求4所述的石墨舟片，其特征在于，所述硅片卡件包括第一卡面和第二卡面；
所述第一卡面的一端和第二卡面的一端相接构成V型硅片卡件。
6.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于，所述镂空硅片位的尺寸大于待镀膜的硅片。
7.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于，所述石墨舟片的长度为1000mm～1500mm；
所述石墨舟片上的镂空硅片位为3个～10个。
8.根据权利要求7所述的石墨舟片，其特征在于，所述石墨舟片的长度为1100mm～1300mm。
9.一种用于双面镀膜的石墨舟，其特征在于，包括多片权利要求1～8任意一项所述的石墨舟片。
10.根据权利要求9所述的石墨舟，其特征在于，所述石墨舟片的片数为11片～21片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
