[实用新型]用于双面镀膜的石墨舟片及石墨舟有效
申请号: | 201420625377.1 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN204130510U | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 黄纪德;蒋方丹;金井升;金浩;陈康平 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 双面 镀膜 石墨 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池镀膜技术领域,尤其涉及一种用于双面镀膜的石墨舟。
背景技术
太阳能硅片的生产加工中有一道工序叫做等离子增强化学气相沉积(PECVD)镀膜,其作用是提高硅片的太阳能转化率。这个工序就用到石墨舟。把硅片放到石墨舟中,通过等离子化学气相沉积,在骨片表面沉积一层深蓝色氮化硅膜。
石墨舟是给太阳能电池片中的硅片镀膜的载体,其结构和大小直接影响硅片的转换效率和生产效率。目前,石墨舟均包括间隔设置的若干第一石墨舟片、第二石墨舟片、陶瓷套、陶瓷杆、石墨杆、石墨螺母、第一连接块和第二连接块;第一石墨舟片的结构和第二石墨舟片的结构相同,第一石墨舟片一端的下部和中部分别设置有第一接线凸耳,第二石墨舟片另一端的下部和中部分别设置有第二接线凸耳;陶瓷套设置在第一石墨舟片和第二石墨舟片之间,再通过陶瓷杆穿过若干第一石墨舟片、第二石墨舟片和陶瓷套与石墨螺母配合将若干第一石墨舟片、第二石墨舟片和陶瓷套固定;第一连接块设置在相邻两第一接线凸耳之间,再通过陶瓷杆、石墨杆穿过若干第一接线凸耳和第一连接块与石墨螺母配合将若干第一石墨舟片和第一连接块固定;第二连接块设置在相邻两第二接线凸耳之间,再通过陶瓷杆、石墨杆穿过若干第二接线凸耳和二连接块与石墨螺母配合将若干第二石墨舟片和第二连接块固定。
在采用上述石墨舟对硅片进行镀膜时,每个硅片位的硅片通常是背靠背装片,石墨舟片间接入射频电源,硅片作为电极的一部分,两舟片间通过射频放电形成等离子体,使硅片上沉积上减反射膜。现有技术公开的石墨舟在镀膜时只在硅片一面镀上了钝化膜或减反膜,不利于其推广应用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于双面镀膜的石墨舟,本实用新型提供的石墨舟能够对硅片进行双面镀膜。
本实用新型提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片,所述石墨舟片设置有镂空硅片位;
所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。
优选的,每个镂空硅片位上设置2个~5个硅片卡件。
优选的,所述镂空硅片位为四边形;
所述四边形的镂空硅片位的四个侧边中至少1个不设置硅片卡件。
优选的,所述硅片卡件为V型。
优选的,所述硅片卡件包括第一卡面和第二卡面;
所述第一卡面的一端和第二卡面的一端相接构成V型硅片卡件。
优选的,所述镂空硅片位的尺寸大于待镀膜的硅片。
优选的,所述石墨舟片的长度为1000mm~1500mm;
所述石墨舟片上的镂空硅片位为3个~10个。
优选的,所述石墨舟片的长度为1100mm~1300mm。
本实用新型提供了一种用于双面镀膜的石墨舟,包括多片上述技术方案所述的石墨舟片。
优选的,所述石墨舟片的片数为11片~21片。
本实用新型提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片,所述石墨舟片设置有镂空硅片位;所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。本实用新型还提供了一种用于双模镀膜的石墨舟,包括多片上述技术方案所述的石墨舟片。本实用新型提供的石墨舟包括的石墨片上设置有镂空的硅片位,通过镂空硅片位边缘设置的硅片卡件将待镀膜的硅片卡在硅片位上,从而在一次镀膜的进程中,实现硅片的双面镀膜。而且,本实用新型提供的石墨舟与传统的太阳能电池生产线兼容,适合大规模工业生产。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例中硅片卡件的结构示意图;
图2为本实用新型实施例中硅片位边缘设置有3个硅片卡件的石墨舟片结构示意图;
图3为本实用新型实施例中硅片位边缘设置有4个硅片卡件的石墨舟片结构示意图;
图4为本实用新型实施例中石墨舟的正视图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。
本实用新型提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片,所述石墨舟片设置有镂空硅片位;
所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造