[实用新型]可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构

权利要求书

1.一种可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，包括：第一漂移层、形成于所述第一漂移层中的数个有源单元、形成于所述第一漂移层与数个有源单元上的数条栅极衬垫条、以及形成于所述数个有源单元与数条栅极衬垫条上的钝化层，每一所述栅极衬垫条的中心部位位于两相邻有源单元之间的第一漂移层的上方。

2.根据权利要求1所述的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，每一所述栅极衬垫条呈长方体状。

3.根据权利要求1所述的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，每一所述栅极衬垫条的宽度为2-10um，相邻两栅极衬垫条之间的间距为5-15um。

4.根据权利要求3所述的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，每一所述栅极衬垫条的宽度为6um，相邻两栅极衬垫条之间的间距为9um。

5.根据权利要求1所述的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，还包括数个绝缘层，所述绝缘层的数量等于所述栅极衬垫条的数量，每一所述绝缘层设形成于一栅极衬垫条的下方。

6.根据权利要求1所述的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，还包括形成于所述钝化层上的金属层以及形成于所述第一漂移层下方的第二漂移层，所述第一与第二漂移层均为N型漂移层。

7.根据权利要求1所述的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，每一所述有源单元的面积为15um×15um，所述有源单元的数量为2-3200。

8.根据权利要求1所述的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，每一所述有源单元包括：P-掺杂区、以及形成于所述P-掺杂区中的P+掺杂区与两N+掺杂区，所述P+掺杂区位于所述P-掺杂区内部的中下方，所述两N+掺杂区对称设于所述P-掺杂区内。

9.根据权利要求8所述的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构，其特征在于，每一所述P-掺杂区的厚度为3um，每一所述N+掺杂区的厚度为0.5um。