[实用新型]覆铜陶瓷基板烧结治具有效
申请号: | 201420654841.X | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN204204799U | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 黄礼侃;冯家云;尚海瑞 | 申请(专利权)人: | 南京中江新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/67 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 211161 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 烧结 | ||
技术领域
本实用新型涉及陶瓷基板加工技术领域,具体涉及一种覆铜陶瓷基板烧结治具。
背景技术
陶瓷金属化是一种将金属敷接在陶瓷基板上,使得陶瓷表面金属化的技术,由于陶瓷具有优良的电气、机械性能和散热性能而应用于微电子装备的封装结构当中。直接覆铜陶瓷基板是金属直接敷铜陶瓷基板中应用最为广泛的,而在烧结过程中,特别是第二面金属箔与陶瓷基片的敷接过程中,第一面已经敷接好了的金属面是朝下放置的,在高温条件下金属面如果与金属合金材质的传送带直接接触的话,二者会粘合在一起,现在行业内通常的做法是先在传送带上放置一块陶瓷材质的垫片,在四周边缘位置粘合几小陶瓷块,数量在4~10之间,再在陶瓷块和垫片上均匀撒上一层金属氧化物粉末,比如氧化镁粉末等,这样虽然解决了已敷接好的金属面的放置问题,但是在烧结过程中,金属氧化物粉末会明显降低气氛的洁净程度,烧制后的覆铜陶瓷基板表面上容易产生气泡,并且影响烧结产品的品质。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术中的缺陷,提供一种覆铜陶瓷基板烧结治具,不仅可以解决烧制过程中背部金属面与金属合金材质的传送带接触发生粘结,提高产品品质,而且明显降低炉腔内的负载,降低能耗。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种覆铜陶瓷基板烧结治具,包括主体,主体包括左端部、中部和右端部,左端部、中部和右端部形成一体,左端部和右端部的高度大于中部的高度,左端部和右端部分别设有斜面,斜面与中部交接处形成钝角,中部上设有通孔。
作为本实用新型的进一步改进,斜面与中部交接处形成的钝角角度为110°—150°。
作为本实用新型的进一步改进,主体选用氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。
作为本实用新型的进一步改进,通孔为方形通孔。
作为本实用新型的进一步改进,在左端部和右端部的上表面上分别设有凸起,左端部和右端部的下表面上分别设有凹槽,凸起与凹槽相匹配。
本实用新型所达到的有益效果是:本实用新型的覆铜陶瓷基板烧结治具设置在传送带与待覆铜处理的陶瓷基板之间,避免了烧制过程中背部铜金属面与金属合金材质的传送带发生粘结,提高产品品质;烧结治具的主体中部开有通孔,保证烧制过程中,陶瓷基板的表面受热均匀,降低能耗;在烧结治具的两端上表面和下表面分别设置互相匹配的凸起和凹槽,能够叠加摆放,可以一次性给多个陶瓷基板进行覆铜,提高生产效率。
附图说明
图1为本实用新型的主视图。
图2为本实用新型的俯视图。
图3为本实用新型叠加使用示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1至图3所示,本实用新型提供一种覆铜陶瓷基板烧结治具,包括主体,主体为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷,主体包括左端部1、中部2和右端部3,左端部1、中部2和右端部3形成一个整体,左端部1和右端部3的高度大于中部2的高度,左端部1和右端部3分别设有斜面7,斜面7与中部2交接处形成钝角,钝角角度为110°—150°,在左端部1和右端部3的上表面上分别设有凸起4,左端部1和右端部2的下表面上分别设有凹槽5,凸起4与凹槽5相匹配,中部2上设有方形通孔6。
当对陶瓷基板8的第一面进行覆铜时,只需将陶瓷基板8放在斜面7上即可,第二面覆铜时,将陶瓷基板8翻转过来再进行覆铜。由于烧结治具的左右两端上表面设有凸起4,下表面上设有与凸起4相匹配的凹槽5,可以将烧结治具叠加使用,一次性给多个陶瓷基板8进行覆铜,提高生产效率。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造