[实用新型]偏振分束器

权利要求书

1.一种偏振分束器，其特征在于，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；

其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；

所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。

2.根据权利要求1所述的偏振分束器，其特征在于：所述第一级Y分支波导包括第一分支波导和第二分支波导，其中，所述第二分支波导的宽度大于所述第一分支波导的宽度，所述第一分支波导的宽度W1的取值范围为330nm<W1<490nm。

3.根据权利要求2所述的偏振分束器，其特征在于：所述第一级Y分支波导的长度L1的取值范围为L1>100μm。

4.根据权利要求2所述的偏振分束器，其特征在于：所述第一分支波导和第二分支波导在远离所述第一级Y分支波导的根波导的一端之间的距离G1的取值范围为G1>2μm。

5.根据权利要求1所述的偏振分束器，其特征在于：所述第四分支波导的宽度大于所述第三分支波导的宽度，所述第三分支波导的宽度W3的取值范围为250nm<W3<310nm。

6.根据权利要求5所述的偏振分束器，其特征在于：所述第二级Y分支波导的长度L3的取值范围为L3>100μm。

7.根据权利要求5所述的偏振分束器，其特征在于：所述第三分支波导和第四分支波导在远离所述第一级Y分支波导的根波导的一端之间的距离G2的取值范围为G2>2μm。

8.根据权利要求1所述的偏振分束器，其特征在于：所述第四分支波导的宽度等于所述第三级Y分支波导的根波导的宽度。

9.根据权利要求1所述的偏振分束器，其特征在于：所述第三级Y分支波导包括第五分支波导和第六分支波导，所述第六分支波导的宽度大于所述第五分支波导的宽度，所述第五分支波导的宽度W4的范围为290nm<W4<350nm。

10.根据权利要求1所述的偏振分束器，其特征在于：所述第五分支波导和第六分支波导远离所述第三级Y分支波导的根波导的两端之间的距离G3为3μm>G3>1μm。

11.根据权利要求1所述的偏振分束器，其特征在于：所述模式转化器的两端的宽度分别与所连接的第一级Y分支波导的根波导或者第二级Y分支波导的根波导的宽度相同。

12.根据权利要求11所述的偏振分束器，其特征在于：所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1小于或等于所述第二级Y分支波导的根波导的宽度S2。

13.根据权利要求11所述的偏振分束器，其特征在于：所述模式转化器的长度L2的范围为0μm<L2<50μm。