[实用新型]偏振分束器有效

专利信息
申请号: 201420683913.3 申请日: 2014-11-14
公开(公告)号: CN204188832U 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 申请(专利权)人: 江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G02B6/125 分类号: G02B6/125;G02B27/28
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 226009 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 偏振 分束器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种光学器件领域,特别是涉及一种偏振分束器。

背景技术

随着人们对信息传输、处理速度要求的不断提高和多核计算时代的来临,基于金属的电互连将会由于过热、延迟、电子干扰等缺陷成为发展瓶颈。而采用光互连来取代电互连,可以有效解决这一难题。在光互连的具体实施方案中,硅基光互连以其无可比拟的成本和技术优势成为首选。硅基光互连既能发挥光互连速度快、带宽大、抗干扰、功耗低等优点,又能充分利用微电子工艺成熟、高密度集成、高成品率、成本低廉等优势,其发展必将推动新一代高性能计算机、光通信系统的发展,有着广阔的市场应用前景。

在过去,硅基光互连的研究重点主要是在硅基上实现各种光功能性器件,如硅基电泵浦激光器、电光调制器、光电探测器、波分复用器件及模分复用器件等。除了片上光互连之外,其他形式的光互连不可避免地需要和外部世界连接。在现阶段的技术背景下,往往采用光纤作为对外连接媒介。但是,一方面,光纤中的偏振态是随机的;另一方面,SOI波导有着比传统集成光波导(如二氧化硅波导)大得多的材料折射率差,使得TE和TM模式的有效折射率差别很大,造成器件性能对偏振态极其敏感。因此,如果不妥善解决器件性能偏振敏感的问题,硅基光子学将只能局限于不与外界连接的研究状态,无法像传统集成光学那样可以实现更加复杂的器件回路或者器件网络,更加无法实现光互连替代电互连的目标。目前一种解决方案是针对每种器件专门设计其偏振不敏感的结构,但是,在偏振不敏感优化尺寸下的器件一般情况下都不是性能最佳的,而且这些器件往往需要特殊的器件结构和复杂的工艺控制,效果很难保证;另一个解决方案是采用方形波导,但此方案需要精确控制尺寸,在工艺上很难实现,而且遇到耦合、弯曲等构型时依然是偏振敏感的。

一种更加有效的方案是采用极化分集机制。从光纤耦合进入芯片的任意偏振的光可以看成是TE和TM模式的线性叠加,这两个正交的分量在经过一个偏振分束器(1×2端口)后,分别在不同的端口输出。而后续再经过一个偏振旋转器后,可以转化为同样的TE模式。然后这两路光分别经过两个工作于TE模式的硅基功能器件,实现各种功能和信号处理。输出的光再通过相反的过程将偏振态重新组合起来,在输出端由另外一根光纤接收。在这样的机制下面,功能性器件全部工作于TE模式,外界偏振态不影响内部工作,因此极大地降低了对功能器件的设计要求,显著地提高硅基光子器件在光互连、光通信等领域的可行性和应用前景。

上述极化分集机制的核心器件是偏振分束器。基于定向耦合器、多模干涉耦合器和马赫-增德尔干涉仪的硅基偏振分束器已经于近期在理论和实验上被证明,但是这些器件通常对波导宽度和长度有很严格的限制,使得器件对工艺要求很高,而且波长敏感。而基于模式演化效应的偏振分束器的带宽较大,但是它的工艺比较复杂。

目前硅光子业界关注的一个热点是100Gb/s相干光通信收发器,该模块要求偏振分束器具有很大的带宽、稳定的工艺容差和CMOS工艺兼容的加工流程。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种偏振分束器,用于解决现有技术中偏振分束器所存在的工艺要求高,且带宽较窄的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种偏振分束器,所述偏振分束器至少包括:形成在SOI材料的顶层硅上的波导,所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导,以及模式转化器;所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导;

其中,所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导;所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导;

所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。

优选地,所述第一级Y分支波导包括第一分支波导和第二分支波导,其中,所述第二分支波导的宽度大于所述第一分支波导的宽度,所述第一分支波导的宽度W1的取值范围为330nm<W1<490nm。

优选地,所述第一级Y分支波导的长度L1的取值范围为L1>100μm。

优选地,所述第一分支波导和第二分支波导在远离所述第一级Y分支波导的根波导的一端之间的距离G1的取值范围为G1>2μm。

优选地,所述第四分支波导的宽度大于所述第三分支波导的宽度,所述第三分支波导的宽度W3的取值范围为250nm<W3<310nm。

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