[实用新型]LQFP宽框架加热块有效
| 申请号： | 201420703378.3 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN204315528U | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 张永峰 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | lqfp 框架 加热 | ||
【权利要求书】：
1.一种LQFP宽框架加热块，其特征在于，包括：精压区，所述精压区边缘为连续的规则的图形；
所述精压区内设置有用于支撑框架的支撑结构。
2.根据权利要求1所述的LQFP宽框架加热块，其特征在于，所述支撑结构中心开设有用于吸附所述框架的真空孔。
3.根据权利要求1所述的LQFP宽框架加热块，其特征在于，所述精压区图形为轴对称和中心对称图形。
4.根据权利要求3所述的LQFP宽框架加热块，其特征在于，所述精压区图形结构与所述框架上引线脚的结构匹配。
5.根据权利要求4所述的LQFP宽框架加热块，其特征在于，所述框架上引线脚位于所述精压区图形范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
