[实用新型]提高饱和容量的背照式图像传感器结构

权利要求书

1.一种提高饱和容量的背照式图像传感器结构，其特征在于，包括置于半导体基体中的逻辑电路和像素阵列，所述像素阵列区域周围的半导体基体中设置有N型离子环，所述像素阵列区域与所述N型离子环之间设置有P型离子环。

2.根据权利要求1所述的提高饱和容量的背照式图像传感器结构，其特征在于，所述N型离子环在半导体基体中贯穿所述半导体基体的厚度，其上表面为基体正面，下表面为基体背面，并且所述N型离子环在半导体基体中的宽度大于等于0.2um。

3.根据权利要求2所述的提高饱和容量的背照式图像传感器结构，其特征在于，所述P型离子环在所述半导体基体中的深度大于等于0.2um，宽度大于等于0.2um。

4.根据权利要求3所述的提高饱和容量的背照式图像传感器结构，其特征在于，所述N型离子环与所述P型离子环的距离大于等于0um。

5.根据权利要求1至4任一项所述的提高饱和容量的背照式图像传感器结构，其特征在于，所述半导体基体为P型半导体基体。

6.根据权利要求5所述的提高饱和容量的背照式图像传感器结构，其特征在于，所述N型离子环的N型离子浓度大于等于1E+16Atom/cm³，所述P型离子环的P型离子浓度大于等于5E+15Atom/cm³。

7.根据权利要求6所述的提高饱和容量的背照式图像传感器结构，其特征在于，所述N型离子环外接电势大于等于0V，所述P型离子环外接电势小于等于-0.3V。