[实用新型]一种应用于晶硅太阳能电池的光刻系统

权利要求书

1.一种应用于晶硅太阳能电池的光刻系统，其特征在于，包括：

用于对硅片的正面进行预处理的预处理装置；

与所述预处理装置相连接，用于对硅片的正面涂布光刻胶的涂布设备；

与所述涂布设备相连接，用于对硅片进行软烘焙处理的软烘焙设备；

与所述软烘焙设备相连接，用于对硅片进行对准和曝光的曝光机；

与所述曝光机相连接，用于对硅片进行后烘焙处理的后烘焙设备；

与所述后烘焙设备相连接，用于在硅片的表面喷洒显影液的喷洒设备；

与所述喷洒设备相连接，用于对硅片进行硬烘焙处理的硬烘焙设备；

与所述硬烘焙设备相连接，用于对硅片表面进行刻蚀的刻蚀设备；

与所述刻蚀设备相连接，用于去除硅片表面的光刻胶的清除设备。

2.如权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述预处理装置包括：

用于对硅片表面进行高压氮气喷扫的喷洒机；

与喷洒机相连接，用于对硅片进行HF浸泡的HF溶液池；

与HF溶液池相连接，用于用去离子水清洗硅片的第一清洗机；

与第一清洗机相连接，用于对硅片进行HCL浸泡的HCL溶液池；

与HCL溶液池相连接，用于用去离子水清洗硅片的第二清洗机；

与第二清洗机相连接，用于对硅片进行烘干处理的烘干机。

3.如权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述涂布设备为旋转涂布机，工作转速为1000-5000rpm。

4.如权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述曝光机的功率为500-600W，曝光时间为6-10秒。

5.如权利要求4所述的光刻系统，其特征在于，所述曝光机包括光罩，所述光罩的宽度和高度之比为0.3-0.8：2.5-3.5。

6.如权利要求5所述的光刻系统，其特征在于，所述光罩沿着水平方向的截面为圆形，直径为0.3-0.8μm。

7.如权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述软烘焙设备为第一红外烘箱，烘焙温度为50-100℃；

所述后烘焙设备为加热平板，烘焙温度为100-110℃；

所述硬烘焙设备为第二红外烘箱，烘焙温度为80-150℃。

8.如权利要求7所述的光刻系统，其特征在于，所述第二红外烘箱包括红外线灯，所述红外线灯距离硅片的距离为5-6公分，照射时间为8-10分钟。

9.如权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述喷洒设备为喷雾式喷洒机或旋转式喷洒机，所述旋转式喷洒机的工作转速为300-500rpm。

10.如权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述刻蚀设备通入的刻蚀气体为CF₄气体，气体流量为40-60sccm。