[实用新型]一种应用于晶硅太阳能电池的光刻系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种应用于晶硅太阳能电池的光刻系统。

背景技术

太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junction)上，形成新的空穴-电子对(V-E pair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，故又称太阳能电池或光伏电池，是太阳能电池阵电源系统的重要组件。太阳能电池主要有晶硅(Si)电池，三五族半导体电池(GaAs,Cds/Cu2S,Cds/CdTe, Cds/InP,CdTe/Cu2Te)，无机电池，有机电池等，其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。晶硅太阳能电池的基本材料为纯度达99.9999%、电阻率在10Ω-cm以上的P型单晶硅，包括正面绒面、正面p-n结、正面减反射膜、正背面电极等部分。在组件封装为正面受光照面加透光盖片（如高透玻璃及EVA）保护，防止电池受外层空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。

传统太阳能电池在硅片表面上，通常都是采用湿法制绒技术，由于使用湿法制绒表面织构化技术，对于绒面结构控制较差，因此无法得到较完整一致性的绒面结构。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种应用于晶硅太阳能电池的光刻系统，可在硅片表面形成完整一致性的抗反射绒面。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种应用于晶硅太阳能电池的光刻系统， 包括：

用于对硅片的正面进行预处理的预处理装置；

与所述预处理装置相连接，用于对硅片的正面涂布光刻胶的涂布设备；

与所述涂布设备相连接，用于对硅片进行软烘焙处理的软烘焙设备；

与所述软烘焙设备相连接，用于对硅片进行对准和曝光的曝光机；

与所述曝光机相连接，用于对硅片进行后烘焙处理的后烘焙设备；

与所述后烘焙设备相连接，用于在硅片的表面喷洒显影液的喷洒设备；

与所述喷洒设备相连接，用于对硅片进行硬烘焙处理的硬烘焙设备；

与所述硬烘焙设备相连接，用于对硅片表面进行刻蚀的刻蚀设备；

与所述刻蚀设备相连接，用于去除硅片表面的光刻胶的清除设备。

作为上述方案的改进，所述预处理装置包括：

用于对硅片表面进行高压氮气喷扫的喷洒机；

与喷洒机相连接，用于对硅片进行HF浸泡的HF溶液池；

与HF溶液池相连接，用于用去离子水清洗硅片的第一清洗机；

与第一清洗机相连接，用于对硅片进行HCL浸泡的HCL溶液池；

与HCL溶液池相连接，用于用去离子水清洗硅片的第二清洗机；

与第二清洗机相连接，用于对硅片进行烘干处理的烘干机。

作为上述方案的改进，所述涂布设备为旋转涂布机，工作转速为1000-5000rpm。

作为上述方案的改进，所述曝光机的功率为500-600W，曝光时间为6-10秒。

作为上述方案的改进，所述曝光机包括光罩，所述光罩的宽度和高度之比为0.3-0.8：2.5-3.5。

作为上述方案的改进，所述光罩沿着水平方向的截面为圆形，直径为0.3-0.8μm。

作为上述方案的改进，所述软烘焙设备为第一红外烘箱，烘焙温度为50-100℃；

所述后烘焙设备为加热平板，烘焙温度为100-110℃；

所述硬烘焙设备为第二红外烘箱，烘焙温度为80-150℃。

作为上述方案的改进，所述第二红外烘箱包括红外线灯，所述红外线灯距离硅片的距离为5-6公分，照射时间为8-10分钟。

作为上述方案的改进，所述喷洒设备为喷雾式喷洒机或旋转式喷洒机，所述旋转式喷洒机的工作转速为300-500rpm。

作为上述方案的改进，所述刻蚀设备通入的刻蚀气体为CF₄气体，气体流量为40-60sccm。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型提供一种应用于晶硅太阳能电池的光刻系统，包括预处理装置、用于涂布光刻胶的涂布设备、软烘焙设备、用于对硅片进行对准和曝光的曝光机、后烘焙设备、用于在硅片的表面喷洒显影液的喷洒设备、硬烘焙设备、刻蚀设备和清除设备。