[实用新型]电动汽车车载终端有效

专利信息
申请号: 201420732587.0 申请日: 2014-11-28
公开(公告)号: CN204330885U 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 邵起明;郑明吉;冯志亮;席永辉;贡兴 申请(专利权)人: 奇点新源国际技术开发(北京)有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 100081 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电动汽车 车载 终端
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电动汽车的领域,特别涉及电动汽车车载终端。

背景技术

电动汽车是指以车载电源为动力,用电动驱动车轮行驶,符合道路交通、安全法规各项要求的车辆。由于电动汽车使用车载电源进行供电,且使用过程中无废气排放,其前景被广泛看好。

但是,由于目前电动汽车尚处于发展阶段,其技术发展并不成熟,投产的电动汽车的故障较多,因此,在现有技术中,电动汽车的内部一般均安装车载终端,以实时监测电动汽车的运行参数及位置信息,并上传至监控管理中心;而监控管理中心一旦发现电动汽车出现故障,立即对其进行救助,从而保证电动汽车的安全运行。

但是,由于现有技术中的车载终端的故障较多,比如:当车载终端的内置锂电池充放电一定次数后,内阻变大,输出电压值变小,影响车载终端的正常工作;而现有技术中的车载终端并不提供测内置电池的功能。再如,车载终端的SD卡连接器的高频辐射较严重,影响其它电子设备的使用。因此,现有技术中,亟需一种电动汽车车载终端,以消除现有技术中电动汽车车载终端的各种故障。

实用新型内容

本实用新型实施例中提供了一种电动汽车车载终端,以消除现有技术中车载终端的各种故障。

为了解决上述技术问题,本实用新型实施例公开了如下技术方案:

一种电动汽车车载终端,包括:车载终端内置电池、处理器、无线通信模块、SD卡、SD卡连接器、车载终端内置电池内阻测量电路和SD卡连接器高频噪声抑制电路;

所述车载终端内置电池内阻测量电路的测量端与所述车载终端内置电池的供电端和处理器的电压测量端所构成的公共端相连,控制端与所述处理器的内阻测量控制端相连;

所述SD卡连接器高频噪声抑制电路的第一输入端与所述处理器的第一数据引脚和所述SD卡连接器的第一数据引脚所构成的公共端相连,第二输入端与所述处理器的第二数据引脚和所述SD卡连接器的第二数据引脚所构成的公共端相连,第三输入端与所述处理器的第三数据引脚和所述SD卡连接器的第三数据引脚所构成的公共端相连,第四输入端与所述处理器的第四数据引脚和所述SD卡连接器的第四数据引脚所构成的公共端相连,第五输入端与所述处理器的时钟引脚和所述SD卡连接器的时钟引脚所构成的公共端相连,第六输入端与所述处理器的控制引脚和所述SD卡连接器的控制引脚所构成的公共端相连,输出端与所述处理器的电源引脚或地相连。

优选的,所述车载终端内置电池内阻测量电路包括:第一电阻、NPN三极管、第二电阻、第一PMOS管、第三电阻和地;

其中,所述NPN三极管的基极与所述第一电阻的一端相连,发射极接地,集电极与所述第二电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极所构成的公共端相连;

所述第一PMOS管的源极与所述第二电阻的另一端相连,漏极通过所述第三电阻接地;

所述第一电阻的另一端作为所述车载终端内置电池内阻测量电路的控制端,所述第一PMOS管的源极与所述第二电阻的另一端所构成的公共端作为所述车载终端内置电池内阻测量电阻的测量端。

优选的,所述车载终端内置电池内阻测量电路包括:第一电阻、NMOS管、第二电阻、第一PMOS管、第三电阻和地;

其中,所述NMOS管的栅极与所述第一电阻的一端相连,源极接地,漏极与所述第二电阻一端和所述第一PMOS管的栅极所构成的公共端相连;

所述第一PMOS管的源极与所述第二电阻的另一端相连,漏极通过所述第三电阻接地;

所述第一电阻的另一端作为所述车载终端内置电池内阻测量电路的控制端,所述第一PMOS管的源极与所述第二电阻的另一端所构成的公共端作为所述车载终端内置电池内阻测量电路的测量端。

优选的,所述车载终端内置电池内阻测量电路包括:第一电阻、PNP三极管、第二电阻、第一PMOS管、第三电阻和地;

其中,所述PNP三极管的基极与所述第一电阻的一端相连,集电极接地,发射极与所述第二电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极所构成的公共端相连;

所述第一PMOS管的源极与所述第二电阻的另一端相连,漏极通过所述第三电阻接地;

所述第一电阻的另一端作为所述车载终端内置电池内阻测量电路的控制端,所述第一PMOS管的源极与所述第二电阻的另一端所构成的公共端作为所述车载终端内置电池内阻测量电路的测量端。

优选的,所述车载终端内置电池内阻测量电路包括:第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第二电阻、第三电阻和地;

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