[实用新型]一种投射式双层多点触摸屏有效
申请号: | 201420738900.1 | 申请日: | 2014-11-30 |
公开(公告)号: | CN204374927U | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 马伟健;李雄宾 | 申请(专利权)人: | 惠州英诺达光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 蒋剑明 |
地址: | 516000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 投射 双层 多点 触摸屏 | ||
1.一种投射式双层多点触摸屏,其特征在于:包括由上往下依次设置的第一PET薄膜层(1)、第一消隐层(2)、第一ITO薄膜层(3)、OCA粘合层(4)、第二ITO薄膜层(5)、第二消隐层(6)、第二PET薄膜层(7)、第一折射层(8)、第二折射层(9),其中第一消隐层包括由上往下依次设置的ZrO2薄膜层(21)、SiO2薄膜层(22)、SiO1薄膜层(23),第二消隐层包括由上往下依次设置的SiO1薄膜层(61)、SiO2薄膜层(62)、ZrO2薄膜层(63),第一折射层的折射率低于第二折射层的折射率。
2.根据权利要求1所述的投射式双层多点触摸屏,其特征在于:所述第一折射层为二氧化钛折射层或五氧化二铌折射层。
3.根据权利要求2所述的投射式双层多点触摸屏,其特征在于:所述二氧化钛折射层的厚度为10nm。
4.根据权利要求2所述的投射式双层多点触摸屏,其特征在于:所述五氧化二铌折射层的厚度为11nm。
5.根据权利要求1所述的投射式双层多点触摸屏,其特征在于:所述第二折射层为二氧化硅折射层,其厚度为45nm。
6.根据权利要求1所述的投射式双层多点触摸屏,其特征在于:所述ZrO2薄膜层的厚度为10nm。
7.根据权利要求1所述的投射式双层多点触摸屏,其特征在于:所述SiO2薄膜层的厚度为10nm。
8.根据权利要求1所述的投射式双层多点触摸屏,其特征在于:所述SiO1薄膜层的厚度为10nm。
9.根据权利要求1至8任一项所述的投射式双层多点触摸屏,其特征在于:所述第一ITO薄膜层和第二ITO薄膜层的ITO线路图案均为:相邻两条电极线之间设置有方形ITO虚拟块(10)。
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