[实用新型]一种超强抗PID光伏组件有效
申请号: | 201420739959.2 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN204230266U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 孙学鹏;张磊;候如钟;张光斗;张怡青;王鹏程;丁振华 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超强 pid 组件 | ||
1.一种超强抗PID光伏组件,包括铝制边框、玻璃面板、EVA封装层和P型电池片,其特征在于:
所述铝制边框的一侧面上沿其长度方向开设有凹槽;
所述凹槽的内表面覆盖有保护层,所述玻璃面板与EVA封装层完全重合且其侧边沿垂直于凹槽开口方向伸入所述凹槽内,并与所述凹槽内表面的保护层紧密贴合;
所述P型电池片包覆在所述EVA封装层内且其电极面与所述玻璃面板的板面平行,所述P型电池片的正电极面上覆盖有正极氧化膜;
所述铝制边框相对于其凹槽的一侧面上沿水平方向延伸出上固定构件与下固定构件,所述上、下固定构件之间通过一螺钉加固支撑;所述铝制边框的下表面沿其竖直方向延伸出一L型安装型材。
2.根据权利要求1所述的超强抗PID光伏组件,其特征在于:所述正极氧化膜的厚度为10-20纳米。
3.根据权利要求1所述的超强抗PID光伏组件,其特征在于,所述保护层为硅胶层或胶带层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的