[实用新型]一种超强抗PID光伏组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能光伏组件领域，特别是一种超强抗PID光伏组件。

背景技术

PID是Potential Induced Degradation的缩写，是指组件在正常工作条件下，由于边框和电池片之间存在偏压，在高温高湿环境下功率出现超过5%的衰减，严重的甚至超过90%；随着光伏市场的发展，东南亚、印度、巴西等国家和地区的市场容量慢慢也在扩大，组件因此慢慢的被安装在这些热带气候地区，且温度高湿度大，从而抗PID组件需求越来越大。

针对目前市场主流的P型组件，在负偏压条件下，组件玻璃与电池片形成电场，玻璃中带电离子会在电场作用下到达电池片形成复合中心，因此会使组件产生PID现象；目前主流的想法是：

1.提高电池片的折射率以此防止玻璃中带点离子与电池片会合，缺点：降低电池片转换效率；

2.增加EVA的体积电阻率以此减少漏电流；缺点：太高的体积电阻率会影响到组件的耐候性及光学性能（折射率和消光系数），成本也更高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种超强抗PID光伏组件，能够有效的防止带电离子与P型电池片会合，避免PID现象的发生，同时保证了EVA材料的耐候性能及光学性能，生产成本大大降低。

为了解决以上技术问题，本实用新型提供一种超强抗PID光伏组件，包括铝制边框、玻璃面板、EVA封装层和P型电池片，其中：

铝制边框的一侧面上沿其长度方向开设有凹槽；

凹槽的内表面覆盖有保护层，玻璃面板与EVA封装层完全重合且其侧边沿垂直于凹槽开口方向伸入凹槽内，并与凹槽内表面的保护层紧密贴合；

P型电池片包覆在EVA封装层内且其电极面与玻璃面板的板面平行，P型电池片的正电极面上覆盖有正极氧化膜；

铝制边框相对于其凹槽的一侧面上沿水平方向延伸出上固定构件与下固定构件，上、下固定构件之间通过一螺钉加固支撑；铝制边框的下表面沿其竖直方向延伸出一L型安装型材；

技术效果：本实用新型在提高电池片的折射率同时避免了组件功率下降，因为提高EVA的体积电阻率，会导致组件的耐候性下降，光学性能下降，增加成本；

本实用新型在设计组件中的电池片结构时，增加正极氧化膜，有效的防止带电离子与P型电池片会合或在使用N型电池片时导致载流子流向地面，在1000V直流电压下，无PID现象的发生；

另外在EVA封装方面也不用刻意的提高体积电阻率，保证了EVA封装的耐候性及光学性能，生产成本也大大降低。

本实用新型进一步限定的技术方案是：

进一步的，前述的超强抗PID光伏组件，正极氧化膜的厚度为10-20纳米。

前述的超强抗PID光伏组件，保护层为硅胶层或胶带层。

附图说明

图1为本实用新型所设计的超强抗PID光伏组件的结构示意图；

图2为本实用新型所设计的超强抗PID光伏组件组合应用时的安装示意图；

1-P型电池片，2-正极氧化膜，3-铝制边框，4-保护层，5-玻璃面板，6-EVA封装层，7-螺钉，8-上固定构件，9-下固定构件，10-桥接密封条。

具体实施方式

实施例1

结构如图1所示，本实施例提供的一种超强抗PID光伏组件，包括铝制边框、玻璃面板、EVA封装层和P型电池片，其中：

铝制边框的一侧面上沿其长度方向开设有凹槽；

凹槽的内表面覆盖有保护层，玻璃面板与EVA封装层完全重合且其侧边沿垂直于凹槽开口方向伸入凹槽内，并与凹槽内表面的保护层紧密贴合；

P型电池片包覆在EVA封装层内且其电极面与玻璃面板的板面平行，P型电池片的正电极面上覆盖有正极氧化膜；

铝制边框相对于其凹槽的一侧面上沿水平方向延伸出上固定构件与下固定构件，上、下固定构件之间通过一螺钉加固支撑；铝制边框的下表面沿其竖直方向延伸出一L型安装型材；

本实施例在具体的使用过程中，如图2所示，两组超强抗PID光伏组件组合使用时，相邻的边框上的上、下固定构件对应设置，两个上固定构件之间能够用桥接密封条密封，能够有效防止雨水渗透到组件内。

以上实施例仅为说明本实用新型的技术思想，不能以此限定本实用新型的保护范围，凡是按照本实用新型提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本实用新型保护范围之内。