[实用新型]半导体晶圆制造显影预对准装置有效
| 申请号： | 201420766748.8 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN204391074U | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 施建根 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 显影 对准 装置 | ||
1.一种半导体晶圆制造显影预对准装置，包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘，所述真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面，用以置放半导体晶圆，其特征在于，所述真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置，所述边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置，所述紫外线发光装置位于所述可调节挡板的正上方，所述紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向所述真空旋转吸盘一侧照射。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆制造显影预对准装置，其特征在于，所述边缘曝光装置的滑动方向指向所述轴线。
3.根据权利要求1所述的半导体晶圆制造显影预对准装置，其特征在于，所述边缘曝光装置还包含可以使边缘曝光装置水平移动的曝光装置移动部件。
4.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆制造显影预对准装置，其特征在于，所述紫外线发光装置包含汞灯，所述汞灯的光线出射方向上设置有凸透镜。
5.根据权利要求1或2或3所述的半导体晶圆制造显影预对准装置，其特征在于，还包含对中光电装置，所述对中光电装置包括光电感应装置和机械传动装置,所述对中光电装置位于半导体晶圆的边缘，用以检测半导体晶圆圆心是否位于所述真空旋转吸盘的轴线上，所述机械传动装置位于半导体晶圆的下方，用以移动半导体晶圆在真空吸附平面上的位置。
6.根据权利要求5所述的半导体晶圆制造显影预对准装置，其特征在于，所述光电感应装置包括传感器支架，所述传感器支架上固定连接有两个对射传感器，两所述对射传感器分置于所述半导体晶圆的上下两侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司;，未经南通富士通微电子股份有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420766748.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种静电保护装置
- 下一篇：一种用于PECVD镀膜设备的自动上下料装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
