[实用新型]半导体晶圆制造显影预对准装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体晶圆制造显影预对准装置。

背景技术

在半导体晶圆级封装或凸点制造时，为了在晶圆表面形成设计凸点的金属线路或金属凸点，需要先在晶圆表面通过物理气相沉积的方法形成一层电镀所需要的金属种子层。然后在金属种子层上通过光刻图形转移方法形成有设计图案的正性光阻，而为了电镀工艺要求需要在这层正性光阻的晶圆边缘形成无光刻胶电镀阴极金属环接触区域。

如一般公知技术，所需要使用到的涂胶装置如图1所示，首先是半导体晶圆21上在图1所示的装置上通过旋转涂布的方法形成正性光阻22，该装置包括有杯状保护盖11，装有旋转电机主轴13，在主轴13上有真空吸盘12，下方有装有有机清洗液15的背喷管路14，上方装有有机清洗液15的洗边管路16。下方的背喷管路14内喷出来的有机清洗液15主要防止正性光阻脏污半导体晶圆21的背面，而上方的洗边管路16内喷出来的有机清洗液15主要目的是在半导体晶圆边缘形成无光刻胶电镀阴极金属环接触区域。形成正性光阻22同时洗边管路16中喷出大量有机溶剂16，涂布结束时把正性光阻22的边缘洗掉形成锯齿边缘22a，曝光后再在图2所示的现有技术装置上实现显影前对中。图2所示的对中装置包含有载台7112和对中加紧装置7111。显影后在正性光阻上形成设计图案。如图3，半导体晶圆21边缘形成无光刻胶电镀阴极金属环接触区域的光刻胶还是涂胶后的状态22a，成锯齿状。半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.0mm到1.8mm之间，容易造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废。而且所形成的锯齿状边缘光刻胶22a容易脏污电镀治具的接触电极，增加电镀治具的预防性维护频次。

实用新型内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本实用新型的目的在于提供一种半导体晶圆制造显影预对准装置。

本实用新型提供的半导体晶圆制造显影预对准装置包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘，所述真空旋转的顶部具有真空吸附平面，用以置放半导体晶圆，所述真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置，所述边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置，所述紫外线发光装置位于所述可调节挡板的正上方，所述紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向所述真空旋转吸盘一侧照射。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

用本实用新型装置对半导体晶圆边缘曝光，待显影后形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.2mm到1.6mm之间，形状为环形，不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况，所形成的电镀高度共面性为正负7％。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶不会脏污电镀治具的接触电极，大大减少了电镀治具的预防性维护频次。

附图说明

参照下面结合附图对本实用新型实施例的说明，会更加容易地理解本发明的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本发明的原理。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。

图1为现有涂胶装置示意图；

图2为现有对中装置示意图；

图3为半导体晶圆经现有加工工艺显影后边缘示意图；

图4为本实用新型实施例提供的半导体晶圆制造显影预对准装置示意图；

图5为半导体晶圆经使用本实用新型实施例提供的半导体晶圆制造显影预对准装置加工工艺显影后边缘示意图。

附图标记说明：

11-杯状保护盖；12-真空吸盘；13-主轴；14-背喷管路；15-有机清洗液；16-洗边管路；21-半导体晶圆；22-正性光阻；22a-正性光阻边缘；7111-夹紧装置；7112-载台；711-光电感应装置；712-真空旋转吸盘；713-主轴；714-机械传动装置；715-边缘曝光装置，715a-汞灯；715b-凸透镜；715c-可调节挡板；715d-孔洞；715e-曝光装置移动部件；32e-正性光阻边缘；32f-显影后正性光阻边缘。

具体实施方式