[实用新型]一种具有单层多晶的EEPROM

权利要求书

1.一种具有多层单晶的EEPROM，包括半导体基板（1）；其特征是：在所述半导体基板（1）内的上部设置若干用于数据存储的存储单元，所述存储单元包括控制电容（30）、PMOS编程晶体管（40）以及与所述PMOS编程晶体管（40）串联的PMOS选择晶体管（50）；控制电容（30）通过半导体基板（1）内的隔离介质（5）与PMOS编程晶体管（40）以及PMOS选择晶体管（50）相隔离；

所述控制电容（30）包括位于半导体基板（1）内的P型阱区（4）以及位于所述P型阱区（4）上方的浮栅电极（9），所述浮栅电极（9）与第一P型阱区（4）间设置有浮栅氧化层（6），所述浮栅氧化层（6）以及浮栅电极（9）还部分覆盖P型阱区（4）内的第一P+区域（10）；

所述PMOS编程晶体管（40）以及PMOS选择晶体管（50）均位于半导体基板（1）内的N型阱区（3）内，所述N型阱区（3）通过隔离介质（5）与P型阱区（4）隔离；PMOS编程晶体管（40）包括位于N型阱区（3）上部的第二P+区域（11）以及第四P+区域（19）；控制电容（30）上的浮栅电极（9）延伸至PMOS编程晶体管（40）上方并通过编程氧化层（18）部分覆盖在第二P+区域（11）以及第四P+区域（19）的上方；

所述PMOS选择晶体管（50）包括位于N型阱区（3）上部的第二P+区域（11）以及第三P+区域（12），所述第二P+区域（11）以及第三P+区域（12）上方设置字线电极（8），所述字线电极（8）通过下方的选择氧化层（7）部分覆盖在第二P+区域（11）以及第三P+区域（12）上。

2.根据权利要求1所述的具有多层单晶的EEPROM，其特征是：所述浮栅电极（9）与字线电极（8）均为P导电类型的导电多晶硅，且浮栅电极（9）与字线电极（8）为同一工艺制造层。

3.根据权利要求1所述的具有多层单晶的EEPROM，其特征是：所述浮栅氧化层（6）、选择氧化层（7）以及编程氧化层（18）均为二氧化硅层，且浮栅氧化层（6）、选择氧化层（7）以及编程氧化层（8）为同一工艺制造层。

4.根据权利要求1所述的具有多层单晶的EEPROM，其特征是：所述隔离介质（5）的材料为二氧化硅；在半导体基板（1）内具有N导电类型深阱（2），所述P型阱区（4）以及N型阱区（3）均位于N导电类型深阱（2）的正上方，且P型阱区（4）的底部以及N型阱区（3）的底部均邻接N导电类型深阱（2）。