[实用新型]一种波长测试范围为660nm～850nm的光纤功率衰减测试仪

说明书

技术领域

本实用新型属于光纤测试设备技术领域，特别涉及一种波长测试范围为660nm～850nm的光纤功率衰减测试仪

背景技术

高压无功补偿装置(SVG)的控制单元与功率单元之间，选用数百根波长是660nm～850nm的光纤进行通信互联，因此光纤通信质量的好坏直接决定了SVG装置运行的可靠与稳定性，

目前光纤测试行业所用高精度光功率计，大多是针对通信工程现场测试用的便携式仪器，波长测试范围800～1700nm，探头类型选用InGaAs，无法同时满足波长660nm～850nm的光纤测试的需求。在实际使用中，光纤介质的功率衰减程度和很多因数有关，例如环境的温度、湿度、光纤的长度、光纤的折弯半径以及光纤制作工艺等，任一因数的控制不良，都会导致光纤功率衰减值超出光纤接收器的敏感接收范围，从而无法保障SVG控制单元与功率单元通信的可靠性，导致SVG设备故障跳闸。

因此本实用新型专利，以Silicon光电探测器为介质，研制出波长660nm～850nm的光纤功率衰减测试仪，为光纤选型、场内制作、测试、现场应用等各个环节提供检验标准，从而进一步保障应用于SVG成套设备的光纤的整体质量。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种波长测试范围为660nm～850nm的光纤功率衰减测试仪。

本实用新型的技术方案是，一种波长测试范围为660nm～850nm的光纤功率衰减测试仪，包括Silicon光电探测器、光电转换器、跨阻放大器、数据存储器、MCU、电源管理器、键盘和LCD显示器，

Silicon光电探测器的输出连接光电转换器后再连接跨阻放大器，MCU连接跨阻放大器、数据存储器、键盘、LCD显示器和电源管理器。

所述的MCU是嵌入式Cortex M3核的ARM控制器。

所述的Silicon光电探测器的输出接入跨阻放大器的同时，还连接第一跨接采样电阻、第二跨接采样电阻和第一电容，所述的第一跨接采样电阻和第二跨接采样电阻连接第一电子开关，跨阻放大器的输出连接第三电阻与第二电容组成的低通滤波电路。

光电转换器主要实现将光信号转换为电信号，利用Silicon光电探测器在第三象限线性工作特性，将接收到的光功率线性感应出光电流，光电流的大小即反映光纤的连通及光纤线路衰减损耗大小，为进一步的光纤功率衰减检测，提供了电气测试量。

跨阻放大器，对光电转换器感应的微弱光电流，进行信号调理，将电流信号转换为可以供主控MCU内部的AD转换电路进行采集转换的电压信号。放大电路使用跨阻连接模式，使电路具有可调的增益带宽，更低的电压噪声。利用低阻抗高速电子开关，可以实现660nm和850nm两种波长跨接电阻阻值的自动切换，从而进一步提高两种波长下光纤功率检测的精度。

本实用新型专利以Silicon光电探测器为介质，设计实现波长660nm～850nm光纤功率衰减测试仪装置，为高压无功补偿装置(SVG)的控制单元与功率单元进行远距离通信而使用的光纤介质，提供一种检测方案。为光纤选型、场内制作、测试、现场应用等各个环节提供检验标准，从而进一步保障应用于SVG成套设备的光纤的整体质量。

附图说明

图1本实用新型的电路原理框图。

图2本实用新型的电源管理模块电路原理图。

图3光电转换与跨阻放大器电路原理图。

具体实施方式

下面对本实用新型的实施例作详细说明，本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。

本实用新型的主控MCU选用嵌入式Cortex M3核的ARM控制器，作为整个测试仪的控制核心，主要实现AD转换、数据处理、数据存储、LCD显示、按键识别、开关机等功能。人机交互界面主要包括键盘、LCD显示器，键盘主要实现两种测试波长的选择、开关机操作、背光灯、开启自动关机等功能。

数据存储器主要实现保存用户上次使用模式的记录，例如测试波长的选择、测试单位的选择等。下次开机使用时，自动恢复上次设定的工作模式。

电源管理器为整个控制电路提供可控制的、稳定的工作电源。将外部的电池或者适配器电源通过电源管理芯片输出稳定的工作电压，同时由分散元件构成的单按键电子开关，实现整个供电电源回路的可控制开通、切断、以及自动定时关机功能。电源使用冗余设计技术，为设备的便携使用或者直接使用外部适配器提供双向选择。