[实用新型]晶片测试样品有效
| 申请号： | 201420827513.5 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN204271065U | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王潇;郭炜;孙涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 测试 样品 | ||
1.一种晶片测试样品，其特征在于，包括：基板以及位于所述基板上的待测晶片，所述基板的上表面设置有导流区域，所述导流区域内设置有导流凹槽，所述待测晶片通过胶粘剂固定于所述基板的上表面，所述待测晶片覆盖所述导流区域的中心区域。
2.如权利要求1所述的晶片测试样品，其特征在于，所述导流区域至少包括多个在第一方向排列的第一直线导流凹槽。
3.如权利要求2所述的晶片测试样品，其特征在于，相邻的所述第一直线导流凹槽之间的间距为1μm～5μm。
4.如权利要求2所述的晶片测试样品，其特征在于，所述第一直线导流凹槽的槽宽为0.5μm～2μm。
5.如权利要求2至4中任意一项所述的晶片测试样品，其特征在于，所述导流区域还包括多个在第二方向排列的第二直线导流凹槽，所述第一方向与第二方向相垂直。
6.如权利要求5所述的晶片测试样品，其特征在于，多个所述第二直线导流凹槽之间的间距为1μm～5μm。
7.如权利要求5所述的晶片测试样品，其特征在于，所述第二直线导流凹槽的槽宽为0.5μm～2μm。
8.如权利要求1所述的晶片测试样品，其特征在于，所述导流区域包括四个相交的直线导流凹槽，所述直线导流凹槽相交为“米”字形，所述待测晶片覆盖四个所述直线导流凹槽的交点。
9.如权利要求8所述的晶片测试样品，其特征在于，所述直线导流凹槽的槽宽为0.5μm～2μm。
10.如权利要求1所述的晶片测试样品，其特征在于，所述胶粘剂为热固性胶粘剂。
11.如权利要求1或10所述的晶片测试样品，其特征在于，所述胶粘剂为导电胶。
12.如权利要求1所述的晶片测试样品，其特征在于，所述基板为硅基板、玻璃基板或陶瓷基板。
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