[实用新型]晶片测试样品

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造业中的可靠性(Reliability)领域，特别是涉及一种晶片测试样品。

背景技术

信息系统的微型化、多功能化和智能化是人们不断追求的目标。半导体集成电路技术的发展是这些变化的主要驱动力量。系统级晶片、系统级封装等技术的发展使得IC器件的功能得到了空前的提高。特别是由于晶片堆叠与3D封装等技术的使用使得某些电子产品领域表现出了超越摩尔定律的发展趋势。业界越来越认识到晶片堆叠与3D封装技术在器件的系统级功能实现、存储容量增加等方面所具有的巨大优势。

在封装结构整体厚度不变甚至有所降低的趋势下，晶片堆叠中所用各层晶片的厚度就不可避免的需要减薄，然而，在晶片被减薄后，会变得十分脆弱。因此，在制备超薄晶片的扫描电子显微镜(SEM)测试样品时，防止晶圆破损是十分重要的。

在现有技术中，超薄晶片测试样品的制备方法是：通过胶粘剂将超薄样品粘贴在稍大的厚基板上，之后再进行处理。但是，该方法具有以下缺点：

1.位于超薄晶片的边缘容易被胶粘剂沾污；

2.对于光敏类的超薄晶片，由于晶片的边缘截面呈倒梯形，故在测试样品的制备过程中，晶片的边缘极易断裂；

3.晶片测试样品在SEM下的成像质量差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种晶片测试样品，该晶片测试样品的晶片不易破碎且不易沾污，并且该晶片测试样品的成像质量高。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶片测试样品，包括：基板以及位于所述基板上的待测晶片，所述基板的上表面设置有导流区域，所述导流区域内设置有导流凹槽，所述待测晶片通过胶粘剂固定于所述基板的上表面，所述待测晶片覆盖所述导流区域的中心区域。

可选的，所述导流区域至少包括多个在第一方向排列的第一直线导流凹槽。

可选的，相邻的所述第一直线导流凹槽之间的间距为1μm～5μm。

可选的，所述第一直线导流凹槽的槽宽为0.5μm～2μm。

可选的，所述导流区域还包括多个在第二方向排列的第二直线导流凹槽，所述第一方向与第二方向相垂直。

可选的，多个所述第二直线导流凹槽之间的间距为1μm～5μm。

可选的，所述第二直线导流凹槽的槽宽为0.5μm～2μm。

可选的，所述导流区域包括四个相交的直线导流凹槽，所述直线导流凹槽相交为“米”字形，所述待测晶片覆盖四个所述直线导流凹槽的交点。

可选的，所述直线导流凹槽的槽宽为0.5μm～2μm。

可选的，所述胶粘剂为热固性胶粘剂。

可选的，所述胶粘剂为导电胶。

可选的，所述基板为硅基板、玻璃基板或陶瓷基板。

与现有技术相比，本实用新型提供的晶片测试样品具有以下优点：

在本实用新型提供的晶片测试样品中，所述基板的上表面设置有导流区域，所述导流区域内设置有导流凹槽，所述待测晶片覆盖所述导流区域的中心区域，当通过所述胶粘剂将所述待测晶片固定于所述基板的上表面时，多余的所述胶粘剂顺着所述导流凹槽流出，避免多余的所述胶粘剂沾污所述待测晶片的上表面；并且所述胶粘剂经过所述导流凹槽的导流，所述胶粘剂更好地填充在所述待测晶片的下表面的边缘，使得所述待测晶片不易破碎。

进一步的，所述晶片测试样品的胶粘剂为导电胶，当所述胶粘剂被所述导流凹槽导出，所述胶粘剂在所述导流凹槽中形成导电路径，使得所述晶片测试样品方便与SEM样品台连接，避免电荷在所述待测晶片积聚，提高所述晶片测试样品的成像质量。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例中晶片测试样品的俯视图；

图2为图1沿剖开线A-A’的剖面图；

图3为本实用新型第一实施例中基板的俯视图；

图4为本实用新型第一实施例中晶片测试样品放置于SEM样品台时的示意图；

图5为本实用新型第二实施例中晶片测试样品的俯视图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的晶片测试样品进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。