[实用新型]能够防止硅片上浮的硅片筐提手有效
申请号: | 201420851682.2 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN204375780U | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 曲蕾;车陆;李军;于雄飞 | 申请(专利权)人: | 吉林华微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 陶尊新 |
地址: | 132013*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能够 防止 硅片 上浮 提手 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种能够防止硅片上浮的硅片筐提手,能够在腐蚀及去胶操作过程中防止硅片上浮甚至漂浮,从而避免腐蚀不均、去胶不净进而返工或者报废,以及避免可能发生的碎片现象,属于半导体器件芯片制造技术领域。
背景技术
在半导体芯片制造过程中,有氧化层腐蚀工步和芯片结构制作完毕之后的金属层腐蚀工步,不论哪个工步,都有腐蚀和去胶两个步骤。在所述两个步骤中,如图1所示,硅片1都是成组地、彼此相离地、垂直插放在硅片筐2中,用硅片筐提手3将盛放有硅片1的硅片筐2放入腐蚀液4中,腐蚀液4浸没硅片1,每个硅片1底部与同一个滚轮5接触。在腐蚀过程中,滚轮5转动带动硅片1转动,实现均匀腐蚀。然而,如图2所示,在所述腐蚀过程中,因为腐蚀液4与被腐蚀物反应产生气体,这些气体以气泡的形式从腐蚀液4中上升排出,在气泡上升过程中,硅片1会随之上浮,硅片1边缘露出腐蚀液液面,导致腐蚀不均匀以及去胶不彻底,同时,由于上浮后的硅片1脱离与滚轮5的接触而停止转动,腐蚀以及去胶效果进一步变劣,对于这部分硅片1,往往需要返工甚至报废。有时由于硅片1上浮的幅度较大而漂浮在腐蚀液表面,某些操作会导致硅片1发生碎片,直接报废。
所述硅片筐提手3采用聚四氟乙烯一次注塑而成,其形状及结构如图3、4所示,下弯横撑6位于提手3中上部,并位于U形带7内侧,下弯横撑6的两端与U形带7两侧连接,U形带7两侧下部形状与结构相同,均呈展开状,在U形带7两侧下部的两端各有一个嵌销8。所述下弯横撑6为刚性件,所述U形带7为弹性件。当使用该提手3提拿硅片筐2时,操作者手握下弯横撑6及U形带7的横梁9,如图5所示,在握力的作用下,同时由于下弯横撑6的支撑作用,使得U形带7两侧下部向外张开,将该提手3移至硅片筐2上方,使U形带7两侧下部两端的嵌销8接近硅片筐2两侧上部两端的凹槽,操作者松手去除握力,在弹性的作用下,U形带7两侧下部回位,嵌销8嵌入凹槽中,完成提手3与硅片筐2的临时连接。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,通过改变提手的结构,使得提手具有阻止硅片上浮的功能,为此,我们发明了一种能够防止硅片上浮的硅片筐提手。
本实用新型之能够防止硅片上浮的硅片筐提手采用聚四氟乙烯一次注塑而成,如图3、4所示,下弯横撑6位于提手3中上部,并位于U形带7内侧,下弯横撑6的两端与U形带7两侧连接,U形带7两侧下部形状与结构相同,均呈展开状,在U形带7两侧下部的两端各有一个嵌销8;所述下弯横撑6为刚性件,所述U形带7为弹性件;其特征在于,如图6、7所示,横挡10与U形带7的横梁9平行;横挡10的具体方案有两种:一、横挡10为一个完整部件,如图6所示,横挡10两端穿过U形带7两侧下部,并与U形带7两侧下部动配合,横挡10的两端具有限位盖11,横挡10的长度比U形带7两侧下部间距大10~20毫米;二、横挡10由左面部分、右面部分构成,如图7所示,左面部分的左端与U形带7左侧下部固定连接,右面部分的右端与U形带7右侧下部固定连接,左面部分的右端与右面部分的左端以嵌套方式连接。
本实用新型其技术效果在于,当使用本实用新型之提手3提拿硅片筐2时,操作者手握下弯横撑6及U形带7的横梁9,在握力的作用下,同时由于下弯横撑6的支撑作用,并且,由于横挡10的长度比U形带7两侧下部间距大10~20毫米,或者,由于横挡10由左右两部分构成并以嵌套方式连接,所以,横挡10的存在不影响U形带7两侧下部向外正常张开。
将硅片1成组地、彼此相离地、垂直插放在硅片筐2中。将本实用新型之提手3移至硅片筐2上方,使U形带7两侧下部两端的嵌销8接近硅片筐2两侧上部两端的凹槽,操作者松手去除握力,在弹性的作用下,U形带7两侧下部回位,嵌销8嵌入凹槽中,完成提手3与硅片筐2的临时连接。此时横挡10位于硅片筐2中的硅片1边缘最高点的上方,如图8所示,横挡10的下边缘与硅片1边缘最高点相距5~10毫米。将盛放有硅片1的硅片筐2放入腐蚀液4中,腐蚀液4浸没硅片1,每个硅片1底部与同一个滚轮5接触。在腐蚀过程中,滚轮5转动带动硅片1转动,实现均匀腐蚀。
尽管在所述腐蚀过程中,因为腐蚀液4与被腐蚀物反应产生气体,这些气体以气泡的形式从腐蚀液中上升排出,但是,由于横挡10的存在,硅片1也不会随气泡的上升而上浮,从而防止硅片1边缘露出腐蚀液4液面而导致腐蚀不均匀以及去胶不彻底,同时,也防止硅片1上浮后脱离与滚轮5的接触而停止转动,从而避免腐蚀以及去胶效果的进一步变劣,不再需要返工,不会发生报废,更谈不上硅片1碎片的发生。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的