[实用新型]一种研磨台面

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造技术中的半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种研磨台面。

背景技术

在集成电路的生产过程中，化学机械研磨(CMP)是半导体制造工艺中重要的一环，研磨台面则是化学机械研磨工艺中的重要设备，其主要作用是使用化学机械研磨方法对晶圆表面进行研磨处理，以使晶圆表面整体平坦化。

然而，由于晶圆表面整体平坦化的高要求和化学机械研磨的效率偏低等问题，化学机械研磨与前后工艺流程比较，其产量是偏低的，造成化学机械研磨工艺影响了前后工艺的流畅性，影响了半导体制造工艺的效率。

在现有技术中，为了提高化学机械研磨工艺的效率，目前业界的先进方法是，化学机械研磨主设备实施大型化和多研磨头化，所以与此相对应的研磨台面变得更大，且研磨台面上所使用的研磨垫的尺寸也随之增加，目前已增大到了42英寸乃至更大。

然而，本领域技术人员清楚，目前的这种增大研磨台面的尺寸的方法，需要更多的研磨液输送管，否则会造成研磨液在研磨台面上的分布不均匀而导致晶圆表面的平坦度不能得到保证，另外，目前的研磨液输送管都是布置在研磨平台的上方空间内，所以更多的研磨液输送管会造成研磨台面上方的空间管理变的更加复杂，进一步影响了研磨台面的工作效率，并会给整个流程的安排造成很大压力。

因此，本领域的技术人员致力于开发一种有效的研磨台面，以提高研磨液的输送效率，降低化学机械研磨对整个半导体制造工艺的效率影响，同时要求提高研磨液供给的均匀性，提高晶圆表面的研磨质量。

实用新型内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本实用新型的目的在于提供一种有效的研磨台面，节省研磨台面上方的空间，以提高化学机械研磨的工作效率，提高晶圆表面的研磨质量。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种研磨台面，其通过在研磨台面内部铺设管路及其控制模块以供给研磨液和去离子水，并进行排空；另外在研磨台面的表面留有出液孔和方便研磨液流动的沟槽；该研磨台面能方便简捷的实现研磨液在研磨台面上的均布，避免众多的研磨液输送管对化学机械研磨的工作效率造成影响，同时也提高研磨液的分布均匀性，提高晶圆的研磨质量。本实用新型的技术方案如下：

一种研磨台面，所述研磨台面用于化学机械研磨台中，在所述研磨台面内部有研磨液输送管、研磨液回流管、进水管、排液管和控制模块；在所述研磨台面表面有出液孔和沟槽；所述研磨液输送管、所述进水管、所述排液管与所述控制模块连接，所述控制模块通过连接管与所述研磨台面表面的所述出液孔连接；所述研磨液回流管连接在所述研磨液输送管上且靠近所述控制模块的一端。

优选地，所述出液孔的中心分布在以所述研磨台面中心为圆心的不同直径的圆周上。

优选地，在所述研磨台面的中心有一个所述出液孔。

优选地，不同直径的所述圆周上的所述出液孔的数量相同。

优选地，所述出液孔在所述圆周上均布。

此处设计的目的在于，根据工艺需要，在化学机械研磨台闲置时研磨液由研磨液输送管流入，在进入控制模块前经研磨液回流管流回供应系统；在投入工艺生产时，研磨液由研磨液输送管进入所述控制模块，再通过所述控制模块控制流量流向台面所述出液孔；所述出液孔数量在台面中心的分布较外沿更密集，并利用研磨台面旋转时的离心力使研磨液更快速分布到整个台面；工艺生产完成后，去离子水通过进水管流入控制模块，同时对控制模块和控制模块与台面间的连接管路以及台面进行清洗；完成后多余去离子水通过排液管排入废液系统；从研磨台面的边缘部位流出的研磨液，通过化学机械研磨台具有的原回收装置回流到收集槽中；出液孔在圆周方向上均布，使研磨液能均匀的分布在研磨台面的表面，所以该设计合理利用了研磨台面设备的内部空间，可以简化化学机械研磨台的打磨模块，并通过减少研磨液悬臂来节约空间；同时，通过研磨台面的沟槽和出液孔使研磨液更快更均匀的分布到研磨垫表面，不但减少研磨液结晶的面积，也提高了对晶圆的研磨质量。

优选地，所述出液孔位于所述研磨台面表面上的所述沟槽的底部。

优选地，所述沟槽在所述研磨台面的表面呈纵横交错的均匀分布。

优选地，所述出液孔位于所述沟槽的纵横交错点处。

优选地，所述沟槽以所述研磨台面中心为圆心呈放射状分布。