[实用新型]一种LED倒装晶片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED倒装晶片。

背景技术

LED晶片是LED器件中的核心部分，其主要功能是将电能转换为光能，LED晶片的主要材料为单晶硅。

LED晶片在使用过程中一般需要经过顶升、吸附过程，顶升的过程一般通过顶针直接作用在LED晶片上且向上运动实现，吸附通过吸盘实现。目前，实现LED晶片顶升的顶针主要有胶顶针和钢顶针，在实际生产过程中发现，胶顶针作用到LED晶片上，不容易损顶伤LED晶片，但胶顶针的寿命短，因此，很少使用胶顶针；而采用钢顶针，虽然钢顶针的使用寿命长，但是因钢顶针的硬度大，当其直接作用到LED晶片的非电极上，则很容易顶伤LED晶片。

传统的LED晶片主要为正装晶片，如在申请号为201320575791.1的专利文献中公开了一种LED芯片，包括蓝宝石基板、外延层和欧姆电极，所述的欧姆电极包括P电极和N电极，对于正装LED晶片来说，虽然蓝宝石基板很脆，但蓝宝石基板的厚度较大，一般为130-150μm，因此，即使是钢顶针直接作用在蓝宝石基板上，也不容易顶伤LED晶片，不容易出现漏电、短路和死机的现象。

随着LED晶片的发展，现在越来越多的地方采用倒装晶片。如图1所示，最初倒装晶片的两电极100大小是不等的，电极一般为金属层，为了能让顶针作用在LED晶片上的顶升力均衡，顶针一般作用在LED晶片的中部，对于这种LED晶片，由于电极大小不等，因此，顶针会作用在大电极上，而不是LED晶片的其他部分，因此，LED晶片不容易被顶伤，但是，由于两电极的大小不等，在固晶过程中，有可能出现大电极已经与锡膏接触但小电极还未与锡膏接触的现象，易产生固晶不均匀和LED晶片固晶偏移的情况；另外，对于电极大小不一的LED晶片，难以控制锡膏的用量，因此，如图2所示，目前的倒装LED晶片已经发展成了两电极100大小相同且对称的结构，并在中间GAP层镀一层厚度约为1.5μm的二氧化硅层200，起到正负绝缘和结构保护的作用；然而，而了让顶针对LED晶片的顶升力均衡，二氧化硅层则成为了顶针作用的位置，而二氧化硅又薄又脆，当顶针作用到二氧化硅层上时，顶针很容易刺破二氧化硅层，导致倒装LED晶片漏电、短路、甚至死机，即使不出现上述问题，也会使LED晶片存在着安全隐患。

发明内容

针对大小一致且对称布置电极的倒装LED晶片，在利用顶针顶升倒装LED晶片时，为减小顶针顶伤倒装LED晶片的几率，本实用新型提供了一种LED倒装晶片。

为达到上述目的，一种LED倒装晶片，包括大小相等且对称的电极，在两电极之间设有绝缘层；在绝缘层处与顶针顶升对应的位置上设有金属层。所述的金属层可以与电极电镀成型，电极之间除金属层以外的其他部分仍然为绝缘层。该结构，顶针在固晶过程中作用于韧性好的金属层上，而不是原来的绝缘层，因此，在要求顶升力均衡的情况下，能很好的防止顶针顶伤倒装LED晶片，防止出现漏电、短路和死机的现象。

进一步的，金属层的厚度为3-5μm。采用较厚的金属层，能更好的防止顶针刺破金属层。

进一步的金属层为圆形，金属层位于LED倒装晶片的中间位置；对应于金属层的位置，绝缘层向电极方向延伸形成圆弧状；该结构在原有的空间内能增宽金属层与电极之间的绝缘层，达到提高绝缘性能的目的。

进一步的，所述的绝缘层为二氧化硅绝缘层。

附图说明

图1为传统LED倒装晶片的示意图。

图2为现有技术中LED倒装晶片的示意图。

图3为本实用新型LED倒装晶片的示意图。

图4为图3中A-A剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步详细说明。

如图3和图4所示，LED倒装晶片包括蓝宝石衬底1、N层2、P层3、N极连接层4、电极5、二氧化硅绝缘层6。N层2设在蓝宝石衬底1的背面，P层3设在N层2的背面，N极连接层4连接在N层2上，其中一电极与N极连接层4电性连接，另一电极与P层电性连接，在电极与N层2、P层3、N极连接层4之间设所述的二氧化硅绝缘层6。

如图3所示，电极5的大小相等，且对称布置。在两电极5之间设有绝缘层8，绝缘层8为二氧化硅绝缘层。在绝缘层8处与顶针顶升对应的位置上设有金属层7，金属层7的厚度为3-5μm，金属层7为圆形，金属层位于LED倒装晶片的中间位置；对应于金属层的位置，绝缘层向电极方向延伸形成圆弧状，这样，在原有的空间内能增宽金属层与电极之间的绝缘层，达到提高绝缘性能的目的。

本实用新型的结构，顶针在固晶过程中作用于韧性好厚度大的金属层7上，而不是原来的绝缘层，因此，在要求顶升力均衡的情况下，能很好的防止顶针顶伤倒装LED晶片，防止出现漏电、短路和死机的现象。