[实用新型]一种透明导电薄膜磁控溅射装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及导电薄膜制备用具领域，尤指一种透明导电薄膜磁控溅射装置。

背景技术

磁控溅射是通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法，磁控溅射由于其显著的优点，使其应用日趋广泛，成为工业镀膜生产中最主要的技术之一。

发明内容

本实用新型一种透明导电薄膜磁控溅射装置，采用腔体的上半腔体设置了溅射枪、高压电极、加热丝、蒸发源和腔体上半腔体的壳体设置了第一进气管、第二进气管和排气管及腔体通过导气管经第四阀门与缓冲罐连接、真空泵通过导气管经第五阀门与缓冲罐连接的方式，提供一种透明导电薄膜磁控溅射装置。

为了实现上述目的，本实用新型的技术解决方案为：一种透明导电薄膜磁控溅射装置包括观察窗、盖、基片、溅射枪、高压电极、加热丝、壳体、第一进气管、第二进气管、第一阀门、第二阀门、排气管、第三阀门、分子筛、第四阀门、导气管、第五阀门、真空规、缓冲罐、真空泵、底座、连接管、腔体、蒸发源；壳体的顶端设置了盖，壳体内部形成了腔体，分子筛将腔体隔成两个半腔体，腔体的下部通过安装有真空规的连接管与缓冲罐进行连接，腔体的下半腔体安装有真空规，腔体的底部设置了底座，腔体的上半腔体设置了溅射枪、高压电极、加热丝、蒸发源，腔体上半腔体的壳体设置了第一进气管、第二进气管和排气管，壳体还设置了观察窗，腔体的上半腔体还通过导气管经第四阀门与缓冲罐连接，真空泵通过导气管经第五阀门与缓冲罐连接，第一进气管、第二进气管和排气管上分别设置有第一阀门、第二阀门和第三阀门。

本实用新型的有益效果是：将基片置于加热丝上，采用真空泵调节腔体的真空度，第一进气管通过第一阀门输入氧气，第二进气管通过第二阀门输入氩气，溅射枪产生的正离子经电场加速，轰击高压阴极靶材，通过动量交换，将基片以原子、离子和二次电子等形式剥离。被溅射出的离子射向基片，在基片上形成镀层。具有镀膜速度快，膜层和基体的附着力强的特点。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步描述。

附图为本实用新型的电动清理器结构示意图。

图中：1、观察窗，2、盖，3、基片，4、溅射枪，5、高压电极，6、加热丝，7、壳体，8、第一进气管，9、第二进气管，10、第一阀门，11、第二阀门，12、排气管，13、第三阀门，14、分子筛，15、第四阀门，16、导气管，17、第五阀门，18、20、真空规，19、缓冲罐，21、真空泵，22、底座，23、连接管，24、腔体，25、蒸发源。

具体实施方式

由附图所示，一种透明导电薄膜磁控溅射装置包括观察窗1、盖2、溅射枪4、高压电极5、加热丝6、壳体7、第一进气管8、第二进气管9、第一阀门10、第二阀门11、排气管12、第三阀门13、分子筛14、第四阀门15、导气管16、第五阀门17、真空规18和20、缓冲罐19、真空泵21、底座22、连接管23、腔体24、蒸发源25；壳体7的顶端设置了盖2，壳体7内部形成了腔体24，分子筛14将腔体24隔成两个半腔体，腔体24的下部通过安装有真空规20的连接管23与缓冲罐19进行连接，腔体24的下半腔体安装有真空规18，腔体24的底部设置了底座22，腔体24的上半腔体设置了溅射枪4、高压电极5、加热丝6、蒸发源25，

腔体24上半腔体的壳体7设置了第一进气管8、第二进气管9和排气管12，壳体7还设置了观察窗1，腔体24的上半腔体还通过导气管16经第四阀门15与缓冲罐19连接，真空泵21通过导气管16经第五阀门15与缓冲罐19连接，第一进气管8、第二进气管9和排气管12上分别设置有第一阀门10、第二阀门11和第三阀门13。

使用时，将基片3置于加热丝6上，采用真空泵调节腔体24的真空度，第一进气管8通过第一阀门10输入氧气，第二进气管9通过第二阀门11输入氩气，溅射枪4产生的正离子经电场加速，轰击高压阴极靶材，通过动量交换，将靶材以原子、离子和二次电子等形式剥离，被溅射出的离子射向基片，在基片上形成镀层。具有镀膜速度快，膜层和基体的附着力强的特点。

以上所述，实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型技术的精神的前提下，本领域工程技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。