[实用新型]一种静电吸盘有效
| 申请号： | 201420866353.5 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN204375719U | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陶岳雨;刘林凤;刘琪 | 申请（专利权）人： | 上海卡贝尼精密陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 201205 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘，包括电极层(2)和陶瓷电介体，其特征在于，所述电极层(2)设置在两层陶瓷电介体之间，所述两层陶瓷电介体中的第一电介层(1)的下表面边缘有一圈凸起，第二电介层(3)的上表面边缘与所述第一电介层(1)的凸起对应处有一圈凹槽，所述第二电介层(3)的上表面设置电极层(2)，所述电极层(2)通过陶瓷金属化处理在第二电介层(3)的上表面成形，所述第一电介层(1)的凸起与第二电介层(3)的凹槽拼合呈相互耦合状态，并通过固相烧结方式形成一个整体。
2.根据权利要求1所述的一种静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷金属化处理包括CVD、溅射或者印刷制造方式。
3.根据权利要求1所述的一种静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷电介体中的第一电介层(1)的厚度为2毫米以下，所述陶瓷电介体中的第二电介层(3)的厚度为5毫米以下，所述第一电介层(1)的凸起与第二电介层(3)的凹槽相耦合处的宽度为5毫米到10毫米、高度为0.5到1毫米。
4.根据权利要求1所述的一种静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷电介体中的第一电介层和第二电介层用同种纯度为99.9％以上的无机陶瓷粉体材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种静电吸盘，其特征在于，所述电极层(2)采用高熔点金属材料制成。
6.根据权利要求5所述的一种静电吸盘，其特征在于，所述高熔点金属材料是钨、钼或铼。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
