[实用新型]一种静电吸盘

说明书

技术领域

本实用新型属半导体静电吸盘制造技术领域，特别是涉及一种静电吸盘。

背景技术

静电吸盘电极的制作方法有两种：一种是单板电极，是在烧成板状的陶瓷电介体基板，通过CVD或溅射等在其单面上形成电极的方法；另一种是内部电极，是通过薄板成形法制作陶瓷的印制电路基板，并在印刷有电极的印制电路基板的上下层叠多张印制电路基板而制作的方法。

在静电吸盘中，为了确保充分的吸附力和优良的抗电性，目前多采用的是内部电极结构。通过薄板成形法制作陶瓷的印制电路基板，并在印刷有电极的印制电路基板的上下层叠多张印制电路基板来制作静电吸盘内部电极。

但现有技术存仍在一定的技术难题，如：内部电极层与其上下的陶瓷电介层的结合性较弱，导致电极层与其上下的陶瓷电介层容易发生剥离；为了解决这一问题，有人发明了将和陶瓷电介层相同的无机陶瓷材料添加到内部电极层的方法，能够很好的改善电极层和陶瓷电介层的结合性，然而，在此情况下又会产生由于电极层中添加了无机陶瓷材料而导致内部电极的导电性降低的问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘，通过两层电介体边缘相互耦合和固相烧结方式将电极层埋入陶瓷电介体中，实现电极层与陶瓷电介体的可靠结合；由于电极层中可以不添加无机陶瓷晶体粒子，从而能够提高内部电极的导电性能。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种静电吸盘，包括电极层和陶瓷电介体，所述电极层设置于两层陶瓷电介体之间，所述两层陶瓷电介体中的第一电介层的下表面边缘有一圈凸起，第二电介层的上表面边缘与所述第一电介层的凸起对应处有一圈凹槽，所述第二电介层的上表面设置电极层，所述电极层通过陶瓷金属化处理的手段形成于第二电介层的上表面，所述第一陶瓷电介层的凸起与第二陶瓷电介层的凹槽拼合呈相互耦合状态，并通过固相烧结方式将电极层埋入陶瓷电介体内部。

所述陶瓷金属化处理包括CVD、溅射或者印刷制造方式。

所述陶瓷电介体中的第一电介层的厚度为2毫米以下，所述陶瓷电介体中的第二电介层的厚度为5毫米以下，所述第一电介层的凸起与第二电介层的凹槽相耦合处的宽度为5到10毫米、高度为0.5到1毫米。

所述所述陶瓷电介体中的第一电介层和第二电介层用同种纯度为99.9％以上的无机陶瓷粉体材料制成。

所述无机陶瓷粉体材料包括Al2O3、AlN、SiC或BeO材料。

所述电极层采用高熔点金属材料制成。

所述高熔点金属材料是钨、钼或铼。

有益效果

本实用新型的优点在于，采用固相烧结方式将两片陶瓷电介层以互渗透的形式结合，从而使电极层和陶瓷电介层很好的结合在一起；由于电极层中可以不添加无机陶瓷晶体粒子，提高内部电极的导电性能。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为本实用新型烧结成一体后的机构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

如图1和2所示，一种静电吸盘，包括电极层2和两层陶瓷电介体，所述电极层2设置于两层陶瓷电介体之间，所述两层陶瓷电介体中的第一电介层1的下表面边缘有一圈凸起，第二电介层3的上表面边缘与所述第一电介层1的凸起对应处有一圈凹槽，所述第二电介层3的上表面设置电极层2，所述电极层2通过陶瓷金属化处理的手段形成于第二电介层3的上表面，所述第一电介层1的凸起与第二电介层3的凹槽拼合呈相互耦合状态，并通过固相烧结方式将电极层埋入陶瓷电介体内部。

所述陶瓷金属化处理包括CVD、溅射或者印刷制造方式。

所述两层陶瓷电介体中的第一电介层1的厚度为2毫米以下，所述两层陶瓷电介体中的第二电介层3的厚度为5毫米以下，所述第一陶瓷电介层1的凸起与第二陶瓷电介层3的凹槽相耦合处的宽度为5到10毫米、高度为0.5到1毫米。

所述所述陶瓷电介体中的第一电介层和第二电介层用同种纯度为99.9％以上的无机陶瓷粉体材料制成。

所述无机陶瓷粉体材料包括Al2O3、AlN、SiC或BeO材料。

所述电极层2采用高熔点金属材料制成。

所述高熔点金属材料是钨、钼或铼。

一种静电吸盘的制造方法，步骤如下：