[实用新型]阵列基板、显示面板、显示装置有效
| 申请号： | 201420870677.6 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN204289541U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 方金钢;李延钊;姜春生;沈武林 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述薄膜晶体管的有源层上方和/或下方的氧化锌层，所述氧化锌层在阵列基板上的垂直投影至少与所述有源层在阵列基板上的垂直投影交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化锌层为纳米氧化锌薄膜。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化锌层的厚度为5nm～50nm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化锌层在阵列基板上的垂直投影覆盖所述有源层在阵列基板上的垂直投影。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化锌层在阵列基板上的垂直投影覆盖整个阵列基板。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：依次设置于所述有源层上方的钝化层和平坦化层，所述氧化锌层位于所述钝化层与所述平坦化层之间或位于所述平坦化层上方。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于薄膜晶体管漏极上方并贯穿所述平坦化层、所述氧化锌层和所述钝化层的过孔。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置于所述有源层下方的缓冲层，所述氧化锌层位于所述缓冲层的下方。
9.根据权利要求1～8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。
10.根据权利要求1～8任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置于所述有源层上方的阳极层、像素界定层、发光层和阴极层。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述有源层和所述阳极层之间的彩膜层。
12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～11任一项所述的阵列基板。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求12所述的显示面板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
