[实用新型]阵列基板、显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置主要包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板和OLED的各功能层。其中，对于TFT阵列基板，根据TFT有源层的材料的不同，TFT可分为非晶硅(a-Si：H)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)、高温多晶硅(High Temperature Poly-Silicon，简称HTPS)、氧化物等多种类型。其中，氧化物TFT相对于其它类型的TFT具有电子迁移率高、与显示装置生产线的兼容性好等优点，是目前领域内研究的热点。

有源层受到UV光照射容易产生阈值电压漂移，以氧化物TFT为例，氧化物TFT的有源层一般采用IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide，铟锡锌氧化物)、ZnO(氧化锌)、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)等材料。对于常见的底栅结构的IGZO OLED显示装置，UV光经过阴极金属层和源/漏极金属层的多次反射后会照射IGZO有源层上。由于IGZO的禁带宽度为3.4eV左右，UV光的禁带宽度高于3.1eV，IGZO对UV光具有很好的吸收作用，因此在经过UV光照射后，有源层中的价带电子和禁带缺陷能级中捕获的电子能够轻易吸收能量跃迁至导带，产生光生电子-空穴对，最终使TFT的阈值电压Vth发生漂移，导致灰阶显示不正常，画面显示效果下降。

实用新型内容

为克服上述现有技术中的缺陷，本实用新型所要解决的技术问题为：提供一种阵列基板、显示面板、显示装置，以改善UV光照引起TFT阈值电压漂移的问题。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型的第一方面提供了一种阵列基板，包括薄膜晶体管，所述阵列基板还包括：位于所述薄膜晶体管的有源层上方和/或下方的氧化锌层，所述氧化锌层在阵列基板上的垂直投影至少与所述有源层在阵列基板上的垂直投影交叠。

优选的，所述氧化锌层为纳米氧化锌薄膜。

优选的，所述氧化锌层的厚度为5nm～50nm。

优选的，所述氧化锌层在阵列基板上的垂直投影覆盖所述有源层在阵列基板上的垂直投影。

优选的，所述氧化锌层在阵列基板上的垂直投影覆盖整个阵列基板。

优选的，所述阵列基板还包括：依次设置于所述有源层上方的钝化层和平坦化层，所述氧化锌层位于所述钝化层与所述平坦化层之间或位于所述平坦化层上方。

优选的，所述阵列基板还包括：位于薄膜晶体管漏极上方并贯穿所述平坦化层、所述氧化锌层和所述钝化层的过孔。

优选的，所述阵列基板还包括：设置于所述有源层下方的缓冲层，所述氧化锌层位于所述缓冲层的下方。

优选的，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。

优选的，所述阵列基板还包括：设置于所述有源层上方的阳极层、像素界定层、发光层和阴极层。

优选的，所述阵列基板还包括：位于所述有源层和所述阳极层之间的彩膜层。

本实用新型的第二方面提供了一种显示面板，包括以上所述的阵列基板。

本实用新型的第三方面提供了一种显示装置，包括以上所述的显示面板。

本实用新型所提供的阵列基板、显示面板、显示装置中，在有源层的上方和/或下方形成氧化锌层，使氧化锌层与有源层在阵列基板上的垂直投影交叠，由于氧化锌的禁带宽度为3.24eV，对UV光有很好的吸收作用，因此能够改善光线中的UV光照射在TFT的有源层上所引起的TFT阈值电压漂移，提高TFT的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1～图14为本实用新型实施例所提供的一种显示面板的制作方法的各步骤图；