[实用新型]半导体器件以及半导体封装体

说明书

技术领域

本公开的各个实施方式涉及半导体技术领域，并且更具体地涉及一种半导体器件以及半导体封装体。

背景技术

在现有技术中的一些半导体器件中，需要将半导体裸片通过粘接材料安装至衬底。图1示出了根据现有技术的包括这种半导体器件1000的半导体封装体100。如图1所示，半导体封装体100包括半导体器件1000和用于封装半导体器件1000的模制化合物9。在半导体器件1000中，第一半导体裸片1通过裸片附接膜3(DAF，全称为Die Attach Film)和粘接胶4而粘接至衬底6，第二半导体裸片2通过导电粘接层5而粘接至衬底6。此外，第一半导体裸片1和第二半导体裸片2还均通过焊线7连接至引线8。

在图1所示的实施方式中，DAF3和粘接胶4用于将第一半导体裸片1粘接至衬底6以及提供在第一半导体裸片1与衬底6之间的隔离。然而，第一半导体裸片1和衬底6之间的这种粘接方式存在多个方面的问题。例如，由DAF3和粘接胶4所提供的电气隔离的可靠性差，因而在第一半导体裸片1与衬底6之间存在发生短路的风险。此外，由于DAF3和粘接胶4均为软质材料，在采用热超声来安装焊线7时容易产生共振，从而导致焊线7与第一半导体裸片1和引线8二者之间的连接稳定性差。

实用新型内容

本公开的目的包括提供一种半导体器件以及半导体封装体，以至少部分解决现有技术中的上述问题。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括：半导体裸片；硬质隔离层，形成于所述半导体裸片的表面上；衬底；以及非导电粘接层，位于所述硬质隔离层与所述衬底之间，以用于将所述硬质隔离层粘接至所述衬底。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述半导体裸片包括接合焊盘，所述接合焊盘位于所述半导体裸片的与所述表面相对的另一表面处。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述半导体器件还包括引线，所述引线通过焊线连接至所述接合焊盘。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述半导体器件还包括：另一半导体裸片；以及导电粘接层，用于将所述另一半导体裸片粘接至所述衬底。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述非导电粘接层包括裸片附接膜或粘接胶。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述硬质隔离层为模制的层或旋涂的层。

根据本公开的另一方面，提供一种半导体封装体，包括：如上所述的任意一种半导体器件；以及模制化合物，被布置为封装所述半导体器件。

根据本公开的又一方面，提供一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的表面上形成硬质隔离层；将裸片附接膜粘附至所述硬质隔离层；切割所述半导体晶片、所述硬质隔离层和所述裸片附接膜以形成单片化结构，每个所述单片化结构包括半导体裸片；以及将所述单片化结构通过所述裸片附接膜粘接至衬底，其中所述裸片附接膜位于所述硬质隔离层和所述衬底之间。

根据本公开的一个示例性实施方式，在所述半导体晶片的所述表面上形成所述硬质隔离层包括：通过模制或旋涂工艺在所述半导体晶片的所述表面上形成所述硬质隔离层。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述方法还包括：将另一半导体裸片通过导电粘接层粘接至所述衬底。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述半导体裸片包括接合焊盘，所述接合焊盘位于所述半导体裸片的与所述表面相对的另一表面处，并且其中所述方法还包括：提供引线；以及通过焊线将所述引线连接至所述接合焊盘。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述方法还包括：利用模制化合物进行封装以形成封装体。

根据本公开的又一方面，提供一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的表面上形成硬质隔离层；切割所述半导体晶片和所述硬质隔离层以形成单片化结构，每个所述单片化结构包括半导体裸片；以及将所述单片化结构通过粘接胶粘接至衬底，其中所述粘接胶位于所述硬质隔离层和所述衬底之间。

根据本公开的一个示例性实施方式，在所述半导体晶片的所述表面上形成所述硬质隔离层包括：通过模制或旋涂工艺在所述半导体晶片的所述表面上形成所述硬质隔离层。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述方法还包括：将另一半导体裸片通过导电粘接层粘接至所述衬底。

根据本公开的一个示例性实施方式，所述半导体裸片包括接合焊盘，所述接合焊盘位于所述半导体裸片的与所述表面相对的另一表面处，并且其中所述方法还包括：提供引线；以及通过焊线将所述引线连接至所述接合焊盘。