[发明专利]端子、电线连接结构体及端子的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480000688.1 申请日: 2014-01-08
公开(公告)号: CN104126251B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 松尾亮佑;橘昭赖;水户濑贤悟 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社;古河AS株式会社
主分类号: H01R4/02 分类号: H01R4/02;H01R4/62;H01R13/03;H01R43/00
代理公司: 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙)11418 代理人: 郭红丽,赵飞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 端子 电线 连接 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种端子,所述端子包括与外部端子电连接的连接器部、与所述连接器部一体连接或分开连接并与电线压接的筒状压接部、连接筒状压接部的过渡部,其特征在于,

所述筒状压接部由金属基材或具有所述金属基材的金属构件通过激光焊接形成,所述金属基材由铜或铜合金构成,

所述筒状压接部具有沿与其长度方向大致相同的方向形成的带状焊接部,

所述筒状压接部是如下形状的筒构件,即,所述过渡部侧被闭合,从电线插入口侧向所述过渡部侧缩径,并且使电线的导体端部不露出,

所述筒状压接部的圆周方向与所述金属构件中的基材的RD方向大致相同,

在所述金属构件的所述基材中,当以Cube方位、RDW方位、Goss方位取向的晶粒的面积率分别为R1、R2、R3时,所述面积率R1、R2、R3的和为15%以上,

所述Cube方位的晶粒包括从所述Cube方位偏离±10%角度的晶粒,所述RDW方位的晶粒包括从所述RDW方位偏离±10%角度的晶粒,所述Goss方位的晶粒包括从所述Goss方位偏离±10%角度的晶粒。

2.根据权利要求1所述的端子,其中,所述铜合金是Cu-Ni-Si类合金、Cu-Cr类合金、Cu-Zr类合金、Cu-Sn类合金中的任一种。

3.一种电线连接结构体,所述结构体是将权利要求1或2所述的端子通过所述端子的所述筒状压接部与电线连接。

4.根据权利要求3所述的电线连接结构体,其中,所述电线的导体由铝或铝合金构成。

5.一种端子的制造方法,所述端子包括与外部端子电连接的连接器部、与所述连接器部一体设置或分开设置并与电线压接的筒状压接部、连接筒状压接部的过渡部,

所述筒状压接部是如下形状的筒构件,即,所述过渡部侧被闭合,从电线插入口侧向所述过渡部侧缩径,并且使电线的导体端部不露出,

所述制造方法的特征在于,具有以下工序:

形成金属基材的工序,在所述金属基材中,当以Cube方位、RDW方位、Goss方位取向的晶粒的面积率分别为R1、R2、R3时,所述面积率R1、R2、R3的和为15%以上,所述Cube方位的晶粒包括从所述Cube方位偏离±10%角度的晶粒,所述RDW方位的晶粒包括从所述RDW方位偏离±10%角度的晶粒,所述Goss方位的晶粒包括从所述Goss方位偏离±10%角度的晶粒;

成型筒状体的工序,即,对所述金属基材进行冲压加工,以所述金属基材的RD方向与筒状压接部的圆周方向大致相同的方式成型筒状体;

一边激光焊接所述筒状体的对接部,沿与其长度方向大致相同的方向形成带状焊接部,一边形成筒状压接部的工序。

6.一种端子的制造方法,所述端子包括与外部端子电连接的连接器部、与所述连接器部一体设置或分开设置并与电线压接的筒状压接部、连接筒状压接部的过渡部,

所述筒状压接部是如下形状的筒构件,即,所述过渡部侧被闭合,从电线插入口侧向所述过渡部侧缩径,并且使电线的导体端部不露出,

所述制造方法的特征在于,具有以下工序:

形成金属基材的工序,在所述金属基材中,当以Cube方位、RDW方位、Goss方位取向的晶粒的面积率分别为R1、R2、R3时,所述面积率R1、R2、R3的和为15%以上,所述Cube方位的晶粒包括从所述Cube方位偏离±10%角度的晶粒,所述RDW方位的晶粒包括从所述RDW方位偏离±10%角度的晶粒,所述Goss方位的晶粒包括从所述Goss方位偏离±10%角度的晶粒;

在所述金属基材上设置金属层形成金属构件的工序;

成型筒状体的工序,即,对所述金属构件实施冲压加工,以所述金属构件的所述基材的RD方向与筒状压接部的圆周方向大致相同的方式成型筒状体;

一边激光焊接所述筒状体的对接部,在沿与其长度方向大致相同的方向形成带状焊接部,一边形成筒状压接部的工序。

7.根据权利要求5或6所述的端子的制造方法,其中,还具有焊接并密封所述筒状压接部的与电线插入口相反一侧的端部的工序。

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