[发明专利]退火处理半导体基板的制造方法、扫描装置以及激光处理装置

权利要求书

1.一种退火处理半导体基板的制造方法，相对于被支持部支承的半导体基板，通过与所述支持部一起移动所述半导体基板，在短轴方向上相对扫描并以多路径并列照射线光束，进行处理，其特征在于，所述制造方法包括：

基板旋转工序，该工序在一个照射路径工序和其之后的照射路径工序之间，以使所述半导体基板的前后位置变化的方式使所述半导体基板旋转，变更所述半导体基板相对于所述线光束的照射位置的位置，

基板倾斜调整工序，在所述一个照射路径工序前和之后的照射路径工序前，在所述基板旋转工序后，该基板倾斜调整工序对所述半导体基板的倾斜进行调整。

2.如权利要求1所述的退火处理半导体基板的制造方法，其特征在于：预先设定所述基板调整工序的调整量，进行所述基板调整工序时，基于设定的调整量调整所述半导体基板的倾斜。

3.如权利要求2所述的退火处理半导体基板的制造方法，其特征在于：包括基板倾斜调整量取得工序，该取得工序对预先决定的所述一个照射路径的半导体基板位置进行推测，并取得被所述支持部支承的半导体基板的基板倾斜调整量，推测所述基板旋转工序的所述旋转后，对预先决定的所述之后的照射路径的半导体基板位置进行推测，并取得被所述支持部支承的半导体基板的基板倾斜调整量。

4.如权利要求1～3中任一项所述的退火处理半导体基板的制造方法，其特征在于：所述旋转通过旋转轴进行，该旋转轴位于一个所述照射路径中的扫描方向中心线和之后的所述照射路径的扫描方向中心线之间。

5.如权利要求1～3中任一项所述的退火处理半导体基板的制造方法，其特征在于：所述旋转工序通过使所述支持部的全部或部分旋转而施行。

6.如权利要求1～3中任一项所述的退火处理半导体基板的制造方法，其特征在于：包括交叉方向移动工序，在所述照射路径工序之间，该交叉方向移动工序使所述半导体基板向与所述扫描方向交叉的方向移动。

7.如权利要求6所述的退火处理半导体基板的制造方法，其特征在于：所述交叉方向移动工序通过使所述支持部移动而施行，或者通过使所述半导体基板从所述支持部的部分或全部脱离，与剩下的所述支持部相对独立地使所述半导体基板移动，移动后再次由剩下的所述支持部支承所述半导体基板而施行。

8.一种扫描装置，被包括在处理装置中，该处理装置相对于半导体基板，在短轴方向上相对扫描并以多路径并列照射线光束，进行所述半导体基板的处理，其特征在于，所述扫描装置包括：

支持部，该支持部支承所述半导体基板，

扫描方向移动部，该扫描方向移动部使所述支持部在所述扫描方向上移动，

旋转移动部，该旋转移动部旋转所述半导体基板，使前后位置改变，

基板倾斜调整部，该基板倾斜调整部能调整所述基板的倾斜，

脱离工作部，该脱离工作部使所述基板从所述支持部的部分或全部脱离，

所述旋转移动部具有使利用所述脱离工作部脱离后的半导体基板相对于剩下的所述支持部独立旋转的机构。

9.如权利要求8所述的扫描装置，其特征在于：所述旋转移动部包括使支承所述半导体基板的所述支持部旋转的机构。

10.如权利要求8或9所述的扫描装置，其特征在于：所述旋转移动部被设置在所述扫描方向移动部上。

11.如权利要求8或9所述的扫描装置，其特征在于：所述旋转移动部具有旋转轴并能够旋转，该旋转轴位于相对于通过照射的所述线光束的长边方向中心的扫描方向偏移后的位置上。

12.如权利要求8或9所述的扫描装置，其特征在于：包括交叉方向移动部，该交叉方向移动部使所述半导体基板在与所述扫描方向交叉的方向上移动。

13.如权利要求8或9所述的扫描装置，其特征在于：包括控制部，该控制部控制所述扫描方向移动部、所述旋转移动部、所述基板倾斜调整部，

所述控制部，在采用所述线光束进行一个照射路径前，控制所述基板倾斜调整部对所述基板的倾斜进行调整，在所述一个照射路径与之后的照射路径之间，控制所述旋转移动部以使所述半导体基板的前后位置改变的方式而使该半导体基板旋转，控制所述基板倾斜调整部对所述基板的倾斜进行调整，之后，照射线光束并且控制所述扫描方向移动部使所述支持部施行在所述扫描方向上移动的动作。