[发明专利]退火处理半导体基板的制造方法、扫描装置以及激光处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过在半导体基板上照射线光束进行退火处理来制造半导体基板的制造方法、扫描装置以及激光处理装置。

背景技术

对于用在液晶显示器或有机EL显示器上的半导体基板，采用激光线光束进行激光处理。宽幅的激光线光束沿短轴方向扫描，同时在半导体基板上照射，从而能够一次性地高效进行处理(例如参照专利文献1)。

具体结构为，设置有半导体基板的基座沿着导轨等在激光线光束的短轴方向上移动，从而进行激光线光束的相对扫描(例如专利文献2的图1)。

再有，为提高生产性，半导体基板正在逐渐大型化，通过与此相适应地增大激光线光束的长轴长度，从而对生产性进行改善。

然而，对于激光线光束，要在有限的能量中对光束的断面形状进行整形，因此长轴长度的扩大也存在极限。因此，一种并非以单路径在半导体基板上照射激光线光束，而是以多路径并列照射，对大型化半导体基板的整个面进行处理的方法已经被实用化。该多路径照射方法中，需要在不同于进行激光退火处理的扫描方向的、与扫描方向交叉的方向上设置可使基座移动的另一个移动轴来移动半导体基板。与照射位置在多路径之间的变更相对应地，该移动轴的行程可达到线光束的长轴长度以上。

即，多路径的照射中，如图10(a)所示，需要具有XY轴的基座S。这时，XY基座被构成为其X轴和Y轴位于上下方向，即为所谓的堆叠型基座。

采用该堆叠型基座以两条路径在半导体基板上进行照射的情况下，如图10(b)所示在半导体基板100的Y方向的半个面(图示区域A)上照射线光束L的第一路径。这时基座S沿X轴移动，从而能够相对地扫描线光束L。区域A上照射线光束L后，如图10(c)所示，在Y轴方向移动半导体基板100，进一步在半导体基板100的Y方向上剩下的半个面(图示区域B)上照射线光束L的第二路径。这时基座S能沿X轴移动，从而能够相对地扫描线光束L。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平11-251261号公报

专利文献2：日本专利特开2004-64066号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

这里，作为处理对象的半导体基板更进一步大型化，也希望处理G8型基板。由于半导体基板变大，光学系统特性中，像场曲率(field curvature：像面弯曲)容易变大，有效DOF(Depth of focus：焦深)容易变窄。并且设置半导体基板的基座为需要与基板尺寸相匹配地一并大型化，为平坦地支承半导体基板，对于基座的表面平坦度要求提高。进而，由于基座的行程量也增大，对移动精度的要求也增大，例如使基座能稳定地移动。

然而，前述那样的堆叠型基座由于如下理由1～3其构成难以同时满足大型化和高精度，为液晶显示器或有机EL显示器采用G6基板(1500×1800mm)被认为是极限。

1.堆叠型中例如Y轴在X轴上的情况下，Y轴支承机构上的平衡较差。

2.基板在Y方向上倾斜，则在线光束两端部产生离焦。

3.重量平衡较差则X偏转特性变差。

如上文所述，对于以往的堆叠型基座，由于G6型基板成为极限，像G7(1900×2200mm)、G8(2200×2500mm)这样的大型基板上，难以使激光线光束恰当地照射在半导体基板上并同时高精度地移动基座，若想达成这一目的，则基座涉及的装置成本降大幅上升。

为解决上述问题，也考虑了移动光学系统部分而进行半导体基板的激光处理的方法，但该方法中为使光学系统的性能不受影响，也必须准备高精度的光学系统移动用的基座，光学系统大型化的同时质量也增大。因此，在光学系统需要多余的驱动部、基座精度要求高等方面产生问题，产生与上述同样的问题。

本发明以上述情况为背景而完成，其目的在于提供一种退火处理半导体基板的制造方法、扫描装置和激光处理装置，能够在激光线光束照射时，减轻使半导体基板移动的机构的负担，同时能高精度地定位半导体基板。

解决技术问题所采用的技术方案

即，本发明的退火半导体基板的制造方法中的第1本发明为半导体基板的处理方法，对于被支持部支承的半导体基板，与所述支持部一起移动所述半导体基板，在短轴方向相对扫描并以多路径并列照射线光束，进行处理，

其特征在于包括：基板旋转工序，该工序在一个照射路径工序和其之后的照射路径工序之间，以使所述半导体基板的前后位置变化的方式而使所述半导体基板旋转，变更所述半导体基板相对于所述线光束的照射位置的位置，