[发明专利]底部填充材料以及采用底部填充材料的半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480002131.1 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105283948B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 小山太一 | 申请（专利权）人： | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/29;H01L25/065;H01L21/78;H01L21/56;H01L21/683;H01L21/60;C09J7/40;C09J11/06;C09J133/16;C09J163/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 底部 填充 材料 以及 采用 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种底部填充材料，在将形成有带焊料的电极的半导体芯片搭载于形成有与带焊料的电极对置的对置电极的电子部件之前，预先将所述底部填充材料贴合在所述半导体芯片，
所述底部填充材料含有环氧树脂、酸酐、丙烯酸树脂和有机过氧化物，
所述底部填充材料在60℃以上100℃以下的任意温度下，显示非宾厄姆流动性，
所述底部填充材料的动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。
2.如权利要求1所述的底部填充材料，其中，所述动态粘弹性测定中的动态粘性率η’以10的一次方的斜率对所述拐点以下的角频率成反比例。
3.如权利要求1或2所述的底部填充材料，其中，所述拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为恒定值。
4.如权利要求1或2所述的底部填充材料，其中，
所述环氧树脂为缩水甘油基醚型环氧树脂，
所述酸酐为脂环式酸酐。
5.如权利要求3所述的底部填充材料，其中，
所述环氧树脂为缩水甘油基醚型环氧树脂，
所述酸酐为脂环式酸酐。
6.如权利要求1或2所述的底部填充材料，其中，
所述丙烯酸树脂为芴类丙烯酸酯，
所述有机过氧化物为过氧缩酮。
7.如权利要求3所述的底部填充材料，其中，
所述丙烯酸树脂为芴类丙烯酸酯，
所述有机过氧化物为过氧缩酮。
8.如权利要求4所述的底部填充材料，其中，
所述丙烯酸树脂为芴类丙烯酸酯，
所述有机过氧化物为过氧缩酮。
9.一种半导体装置的制造方法，其中包括：
搭载工序，将形成有带焊料的电极并且在该电极面贴合底部填充材料的半导体芯片，搭载于形成有与所述带焊料的电极对置的对置电极的电子部件；以及
热压接工序，将所述半导体芯片和所述电子部件热压接，
所述底部填充材料含有环氧树脂、酸酐、丙烯酸树脂和有机过氧化物，在60℃以上100℃以下的任意温度，显示非宾厄姆流动性，动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。
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