[发明专利]底部填充材料以及采用底部填充材料的半导体装置的制造方法

说明书

提供一种能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料，其含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物，在60℃以上100℃以下的任意温度，显示非宾厄姆流动性，动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。由此，能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。

技术领域

本发明涉及用于半导体芯片的安装的底部填充材料以及采用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。本申请以在日本于2013年9月11日申请的日本专利申请号特愿2013－187980为基础主张优先权，通过参照该申请，引用到本申请。

背景技术

近年来，在半导体芯片的安装方法中，以工序缩短为目的，研究在半导体IC（Integrated Circuit，集成电路）电极上粘贴底部填充膜的“预供给型底部填充膜（PUF：Pre－applied Underfill Film）”的使用。

使用该预供给型底部填充膜的安装方法，例如，如以下那样进行（例如，参照专利文献1。）。

工序A：向晶圆粘贴底部填充膜，并切片而得到半导体芯片。

工序B：在贴合底部填充膜的状态下，使半导体芯片对位而搭载。

工序C：将半导体芯片热压接，通过焊料凸点的金属结合进行导通确保，并且通过底部填充膜的硬化进行粘接。

预供给型底部填充膜以预先层压在晶圆的状态下使用，因此对于向基板的安装，为了实现良好的焊料连接性，熔化粘度被设定得低。例如，大多将储存弹性率G’设定为10E＋04Pa以下、损耗弹性率G”设定为10E＋03Pa左右，而且熔化状态的流动性未显示非宾厄姆流动性，因此安装时空气的排除不充分，成为内有空隙的安装体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－28734号公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明鉴于这样的以往情况而提出，提供能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料，以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。

用于解决课题的方案

为了解决上述的课题，本发明是一种底部填充材料，在将形成带焊料的电极的半导体芯片搭载于形成与带焊料的电极对置的对置电极的电子部件之前，预先贴合在半导体芯片，其特征在于，含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物，在60℃以上100℃以下的任意温度下，显示非宾厄姆流动性，动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。

另外，本发明所涉及的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：搭载工序，将形成有带焊料的电极并且在该电极面贴合底部填充材料的半导体芯片，搭载于形成有与所述带焊料的电极对置的对置电极的电子部件；以及热压接工序，将所述半导体芯片和所述电子部件热压接，所述底部填充材料含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物，在60℃以上100℃以下的任意温度下，显示非宾厄姆流动性，动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。

发明效果

依据本发明，由于在熔化时显示非宾厄姆流动性，并且具有既定储存弹性率G’，所以能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。

附图说明