[发明专利]包括叠置电子器件的电子组件有效
申请号: | 201480003722.0 | 申请日: | 2014-07-02 |
公开(公告)号: | CN105377390B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | N·德什潘德;R·V·马哈詹 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电子器件 电子 组件 | ||
一种电子组件,所述电子组件包括第一电子器件。所述第一电子器件包括腔,所述腔延伸到所述第一电子器件的背侧中。所述电子组件还包括第二电子器件。所述第二电子器件在所述第一电子器件中的所述腔内安装到所述第一电子器件。在一些示例性形式的电子组件中,所述第一电子器件和所述第二电子器件中各自是管芯。应当指出的是,预期了所述电子组件的其它形式,其中,所述第一电子器件和第二电子器件中仅有一个是管芯。在一些形式的电子组件中,所述第二电子器件焊接到所述第一电子器件。
技术领域
本文所述的实施例总体上涉及电子组件,并且具体而言,涉及包括叠置电子器件的电子组件。
背景技术
与生产包括叠置电子器件(例如,管芯或芯片)的电子组件相关联的一个重要的考虑涉及从电子器件的叠置体中的底部电子器件有效地散热。另一个重要的考虑涉及处理包括穿硅过孔(TSV)的薄晶圆或管芯的能力,穿硅过孔用于随后将一个或多个额外电子器件叠置在薄晶圆或管芯上。
图1示出了现有技术电子封装10,其使用高热导率模制材料来从电子器件的叠置体中的底部电子器件散热。高热导率模制材料位于电子器件的叠置体中的最顶部电子器件与散热器之间。
图2示出了另一个现有技术电子封装20,其使用阶梯式集成散热器(IHS)来从电子器件的叠置体中的底部电子器件散热。使用阶梯式IHS常常提供对于在电子器件的叠置体中的最顶部电子器件与IHS之间的热分界面材料(TIM)粘合层的厚度的有限的控制。由于典型地与叠置电子器件相关联的容差问题而难以控制TIM粘合层的厚度。
图1和图2中所示的现有技术电子组件中解决热管理问题的方法之一是增大TIM粘合层的热导率。然而,单独增大TIM粘合层的热导率常常是不够的。
图1和图2中所示的现有技术电子组件中包括的电子器件的叠置体中的底部电子器件的厚度典型地约为100μm。底部电子器件的此最小厚度常常使得在包括叠置电子器件的电子组件的生产过程中安全且有效地处理底部电子器件是有问题的。
附图说明
图1示出了现有技术电子组件,其使用高热导率模制材料来从电子器件的叠置体中的底部电子器件散热。
图2示出了另一个现有技术的电子组件,其使用阶梯式集成散热器(IHS)来从电子器件的叠置体中的底部电子器件散热。
图3示出了示例性电子组件。
图4示出了在图3中所示的电子组件的一部分的放大图。
图5示出了示出在图3中所示的电子组件的另一种形式的一部分的放大图。
图6示出了示例性电子封装。
图7示出了在图6中所示的电子封装的一部分的放大图。
图8示出了示出在图6中所示的电子封装的另一种形式的一部分的放大图。
图9示出了图6中的电子封装,其中,该电子封装包括第三电子组件。
图10A-10D示出了用于在图6和图7中所示的电子封装的示例性封装工艺(即,组装流程)。
图11A-11D示出了用于在图8中所示的电子封装的示例性封装工艺(即,组装流程)。
图12是包括本文所述的电子组件和/或电子封装的电子装置的框图。
具体实施方式
以下描述和附图充分示出了具体实施例,以使得本领域技术人员能够实施它们。其它实施例可以包含结构、逻辑、电气、工艺以及其它变化。一些实施例的部分和特征可以包括在其它实施例的部分和特征中,或者代替它们。权利要求中阐述的实施例包含那些权利要求的全部可用的等效物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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