[发明专利]Ag合金膜形成用溅射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透明膜有效
| 申请号： | 201480004766.5 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104919081B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 岁森悠人;野中荘平 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C5/06;C22F1/00;C22F1/14 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ag 合金 形成 溅射 反射 导电 半透明 | ||
【权利要求书】：
1.Ag合金膜形成用溅射靶，其特征在于，具有如下组成：
0.2原子％以上2.0原子％以下的Sb、0.05原子％以上1.00原子％以下的Mg，余量由Ag和不可避免杂质构成。
2.根据权利要求1所述的Ag合金膜形成用溅射靶，其特征在于，
所含有的Sb与Mg的原子比为1.0≤Sb/Mg≤40.0。
3.一种Ag合金膜，其特征在于，
通过权利要求1或2所述的Ag合金膜形成用溅射靶而成膜。
4.一种Ag合金反射膜，其特征在于，
通过权利要求1或2所述的Ag合金膜形成用溅射靶而成膜。
5.一种Ag合金导电膜，其特征在于，
通过权利要求1或2所述的Ag合金膜形成用溅射靶而成膜。
6.一种Ag合金半透明膜，其特征在于，
通过权利要求1或2所述的Ag合金膜形成用溅射靶而成膜。
7.根据权利要求4所述的Ag合金反射膜，其特征在于，
波长405～550nm的反射率为85％以上。
8.根据权利要求5所述的Ag合金导电膜，其特征在于，
比电阻为10μΩ·cm以下。
9.根据权利要求6所述的Ag合金半透明膜，其特征在于，
膜厚15nm以下且波长350～850nm下的平均透射率为35％以上。
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