[发明专利]Ag合金膜形成用溅射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透明膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于形成Ag合金膜(Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透明膜)的Ag合金膜形成用溅射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透明膜，所述Ag合金膜用于在显示器或照明中使用的发光元件及光记录用光盘等的光反射层、触摸面板等的配线、红外线阻隔膜和透明导电膜等。

本申请主张基于2013年1月23日于日本申请的日本专利申请2013-010070号及2014年1月14日于日本申请的日本专利申请2014-004584号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

通常，出于提高出光效率的目的，在有机EL或反射型液晶等显示器、LED等发光元件或光记录用光盘等上形成有光反射层。其中，由Ag及Ag合金构成的Ag膜及Ag合金膜的反射率高，因此被广泛用作上述光反射层。

例如，专利文献1中公开有作为有机EL元件的反射电极的构成材料而使用Ag合金的内容。

专利文献2公开有作为半导体发光元件的电极的构成材料而使用以高效率反射光的Ag或Ag合金的内容。

专利文献3中公开有作为光存储介质的反射层的构成材料而使用Ag或Ag合金的内容。

并且，Ag膜及Ag合金膜除上述用途之外，还用于光学仪器用反射镜、太阳电能池用反射膜、照明装置的反射器等中。

另一方面，上述Ag膜及Ag合金膜的导电性也很优异，因此例如专利文献4中所公开的，也被用作触摸面板的引出配线。此外，如同专利文献5中所记载，膜厚较薄的Ag膜也被用作半透明膜。由Ag构成的半透明膜也被用作显示器用透明导电膜或底部发射方式的有机EL的阴极。

专利文献1：日本专利公开2012-059576号公报

专利文献2：日本专利公开2006-245230号公报

专利文献3：日本专利公开2004-322556号公报

专利文献4：日本专利公开2009-031705号公报

专利文献5：日本专利第4395844号公报

然而，虽然由纯Ag构成的Ag膜的反射率或透射率等光学特性优异，但耐环境性(对于耐湿环境的耐性)不够充分，因此在使用环境下反射率或透射率等光学特性下降，因此在长期使用中存在可靠性问题。

并且，上述发光元件或显示器中，在其制造过程中进行高温热处理，因此有可能在经热处理之后Ag膜或Ag合金膜的反射率下降，而无法发挥充分的特性。因此要求在尽可能维持接近纯Ag膜的高反射率的同时，反射率在热处理之后也不下降的Ag合金膜。

此外，将由纯Ag构成的Ag膜用作配线时，存在导致在湿热环境下产生粒子生长并使比电阻值变动的问题。并且，纯Ag的耐盐水性、耐热性、耐湿性等各种耐性不够充分，因此有可能导致Ag膜在使用环境下或制造工艺中变质。

发明内容

该发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够形成如下Ag合金膜的Ag合金膜形成用溅射靶、Ag合金膜、由该Ag合金膜构成的Ag合金导电膜、Ag合金反射膜及Ag合金半透明膜，即所述Ag合金膜的反射率或透射率等光学特性优异且具有较低的比电阻值，并且耐热性、耐环境性等各种耐性优异，反射率在热处理之后也不会产生大的变化，反射率或透射率等光学特性及比电阻值在使用环境下也不会产生大的变化。

为了解决上述课题，本发明的Ag合金膜形成用溅射靶，其中，其具有如下组成，即0.2原子％以上2.0原子％以下的Sb、0.05原子％以上1.00原子％以下的Mg，余量由Ag和不可避免杂质构成。

如此构成的本发明的Ag合金膜形成用溅射靶中，Sb的含量为0.2原子％以上，因此能够提高耐热性及耐环境性，并且在成膜后的制造过程中即便进行热处理等也能够抑制反射率产生大的变化，并且即便长期使用反射率或透射率等光学特性及比电阻值也不会产生大的变化。并且，Sb的含量为2.0原子％以下，因此在刚成膜之后也能够确保优异的光学特性和较低的比电阻值。

并且，Mg的含量为0.05原子％以上，因此能够抑制Ag的粒子生长，且通过与Sb的协同效应能够大幅提高耐热性，并且也能够提高耐盐水性。并且，Mg的含量为1.00原子％以下，因此能够确保优异的光学特性和较低的比电阻值，并且在湿热环境下能够抑制反射率或透射率等光学特性及比电阻值产生较大变化。

鉴于以上几点能够形成如下Ag合金膜，即刚成膜之后的光学特性优异且具有较低的比电阻值，并且，即便在成膜后的制造过程经历热处理等，反射率也不会产生大的变化，反射率或透射率等光学特性及比电阻值在使用环境下也不会产生大的变化。