[发明专利]发光陶瓷、发光元件及发光器件有效
申请号: | 201480006328.2 | 申请日: | 2014-01-20 |
公开(公告)号: | CN104955787B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 吴竹悟志 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;C04B35/50;C09K11/08;C09K11/78 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 陶瓷 元件 器件 | ||
1.一种发光陶瓷,其特征在于,
该发光陶瓷通过在还原气氛中对以ABOW所表示的烧绿石型化合物作为主要成分的陶瓷进行热处理而形成,其中,A包含从La、Y、Gd、Yb及Lu构成的组中选择的至少一种元素,B包含从Zr、Sn及Hf构成的组中选择的至少一种元素和Bi,W是用于保持电中性的正数,所述B包含0.001摩尔%~5摩尔%范围的Bi。
2.如权利要求1所述的发光陶瓷,其特征在于,
所述B包含0.01摩尔%~3摩尔%范围的Bi。
3.如权利要求1或2所述的发光陶瓷,其特征在于,
厚度为1mm时,波长450nm~800nm的光透过率为50%以上。
4.如权利要求1或2所述的发光陶瓷,其特征在于,
照射激励光时获得的发光量子产率为40%以上。
5.如权利要求1或2所述的发光陶瓷,其特征在于,
所述A不包含Bi。
6.如权利要求1或2所述的发光陶瓷,其特征在于,
与所述A包含所述Bi的情况相比,照射激励光时获得的发光量子产率较高。
7.一种发光元件,其特征在于,
包括波长变换部,该波长变换部包含权利要求1至5的任一项所述的发光陶瓷。
8.如权利要求7所述的发光元件,其特征在于,
还包括发光波长与所述波长变换部的发光波长不同的其他的波长变换部。
9.如权利要求8所述的发光元件,其特征在于,
所述其他的波长变换部包含所述权利要求1至5的任一项所述的发光陶瓷。
10.一种发光器件,其特征在于,包括:
权利要求7至9的任一项所述的发光元件;以及
对所述发光元件照射激励光的光源。
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