[发明专利]发光陶瓷、发光元件及发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及发光陶瓷、发光元件及发光器件。

背景技术

以往，已知有一种发光陶瓷，该发光陶瓷在射入激励光时，射出波长与激励光不同的光。例如专利文献1中，作为该发光陶瓷的一个示例，记载了将以ABO_W(其中，A由从La、Y、Gd、Yb及Lu构成的组中选择的至少一种元素与0～5摩尔％的Bi构成，B是从Sn、Zr及Hf构成的组中选择的至少一种元素，W是用于保持电中性的正数。)所表示的烧绿石型化合物作为主要成分的陶瓷在还原气氛中进行热处理而形成的发光陶瓷。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2011/158580A1号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

对于发光陶瓷，存在希望提高发光的量子效率的要求。

本发明的主要目的在于，提供一种发光的量子产率较高的发光陶瓷。

解决技术问题所采用的技术手段

本发明所涉及的发光陶瓷通过在还原气氛中对以ABO_W(其中，A包含从La、Y、Gd、Yb及Lu构成的组中选择的至少一种元素，B包含从Zr、Sn及Hf构成的组中选择的至少一种元素和Bi，W是用于保持电中性的正数。)所表示的烧绿石型化合物作为主要成分的陶瓷进行热处理而形成。

本发明所涉及的发光陶瓷的某个特定的方面中，B包含0.001摩尔％～5摩尔％范围的Bi。

本发明所涉及的发光陶瓷的其他特定的方面中，厚度为1mm时，波长450nm～800nm的光透过率为50％以上。

本发明所涉及的发光陶瓷的其他特定的方面中，照射激励光时获得的发光量子产率为40％以上。

本发明所涉及的发光陶瓷的另一其他特定的方面中，A不包含Bi。

本发明所涉及的发光元件包括波长变换部。波长变换部包含本发明所涉及的发光陶瓷。

本发明所涉及的发光元件的某个特定的方面中，发光元件还包括发光波长与波长变换部的发光波长不同的其他的波长变换部。

本发明所涉及的发光元件的其他特定的方面中，其他的波长变换部包含本发明所涉及的发光陶瓷。

本发明所涉及的发光器件包括本发明所涉及的发光元件以及光源。光源对发光元件照射发光元件的激励光。

发明效果

根据本发明，能提供一种发光的量子产率较高的发光陶瓷。

附图说明

图1是实施方式1中的发光器件的示意性侧视图。

图2是实施方式2中的发光器件的示意性侧视图。

图3是实施方式3中的发光器件的简要剖视图。

图4是实施方式4中的发光器件的简要剖视图。

图5是实施方式5中的发光器件的简要剖视图。

图6是实施方式6中的发光器件的简要剖视图。

图7是表示与组成8相对应的样品的XRD分析结果的曲线图。

图8是样品2、8的Bi的L₃端的XANES光谱。

图9是通过样品2、8的EXAFS光谱获得的径向分布函数。

图10是实验例2中制作得到的评价样品、实验例1中制作得到的具有组成8的热处理后的样品、具有组成2的热处理后的样品各自的发光光谱。

具体实施方式

下面，对实施本发明的优选方式的一个示例进行说明。然而，下述实施方式仅仅是例示。本发明不限于下述任一实施方式。

此外，在实施方式等所参照的各附图中，以相同的标号来参照实质上具有相同功能的构件。另外，实施方式等中参照的附图是示意性的记载。附图中绘制的物体的尺寸比例等有时与现实物体的尺寸比例等不同。附图相互间的物体的尺寸比例等也可能不同。具体的物体的尺寸比例等应当参考以下的说明来判断。

(实施方式1)

图1是实施方式1中的发光器件的示意性侧视图。如图1所示，发光器件1包括光源30和发光元件11。本实施方式中，发光元件11由一个波长变换部11a构成。波长变换部11a包含发光陶瓷。发光陶瓷在射入激励光L1时射出荧光L2。因此，若激励光L1入射到波长变换部11a，则从波长变换部11a射出荧光L2。光源30对发光元件11的波长变换部11a照射激励光L1。光源30能由例如LED(Light Emitting Diode：发光二极管)、激光光源等构成。