[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置在审
申请号: | 201480006560.6 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN104956470A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 松下孝夫;森伸一郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L33/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种半导体装置的制造方法,是通过利用密封片来密封半导体元件而得到的半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备所述密封片以及多个所述半导体元件的准备工序;
在所述准备工序之后,利用所述密封片将多个所述半导体元件一并密封的密封工序;以及,
在所述密封工序之后,回收所述密封片以及多个所述半导体元件的回收工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
还包括除去所述密封片的多余部分的除去工序。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述准备工序包括将所述密封片相对于多个所述半导体元件定位的定位工序。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述回收工序包括控制所述密封片的温度的密封片温度控制工序。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述密封工序包括:
预先对所述密封片进行加热的预备加热工序;以及,
在所述预备加热工序之后,对所述密封片进行加热而将多个所述半导体元件密封的正式加热工序。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述准备工序包括控制所述密封片的气氛的温度以及/或者湿度的气氛温度/湿度控制工序。
7.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在所述准备工序中,包括除去所述密封片的多余部分并且对所述密封片的外形形状进行整形的整形工序。
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述密封片由保护构件保护,
所述准备工序以及/或者所述回收工序包括将所述保护构件从所述密封片剥离的剥离工序。
9.一种半导体装置的制造装置,是利用密封片来密封半导体元件的半导体装置的制造装置,其特征在于,具备:
准备所述密封片以及多个所述半导体元件的准备装置;
利用准备好的所述密封片将多个所述半导体元件一并密封的密封装置;以及,
回收被所述密封片密封后的多个所述半导体元件的回收装置。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
还具备除去所述密封片的多余部分的除去装置。
11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
所述准备装置具备将所述密封片相对于多个所述半导体元件定位的定位装置。
12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
所述回收装置具备控制所述密封片的温度的密封片温度控制装置。
13.根据权利要求9所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
所述密封装置具备:
预先对所述密封片进行加热的预备加热装置;以及,
对预备加热后的所述密封片进行加热而将多个所述半导体元件密封的正式加热装置。
14.根据权利要求9所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
所述准备装置具备控制所述密封片的气氛的温度以及/或者湿度的气氛温度/湿度控制装置。
15.根据权利要求10所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
所述准备装置具备除去所述密封片的多余部分并且对所述密封片的外形形状进行整形的整形装置。
16.根据权利要求9所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
所述密封片由保护构件保护,
所述准备装置以及/或者所述回收装置具备将所述保护构件从所述密封片剥离的剥离装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造