[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置在审
申请号: | 201480006560.6 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN104956470A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 松下孝夫;森伸一郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L33/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法以及制造装置,详细而言,涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置。
背景技术
一直以来,已知有通过利用密封片来密封半导体元件而制造半导体密封装置的方法。
例如,提出有如下所述的方法:在对安装于载体膜上的一个集成电路芯片粘贴含有环氧树脂的半固化片之后,将其放入金属模中,通过压缩成形来制作树脂密封型半导体装置(例如,参照下述专利文献1。)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-291319号公报
发明要解决的课题
近年来,根据用途以及目的而谋求将多个半导体元件密封了的半导体装置。然而,专利文献1的方法对一个集成电路芯片进行密封而获得具有一个集成电路芯片的树脂密封型半导体装置,无法满足上述要求。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种能够将多个半导体元件一并密封且能够方便地制造半导体装置的半导体装置的制造方法以及制造装置。
用于解决问题的手段
本发明的半导体装置的制造方法是通过利用密封片来密封半导体元件而得到的半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:准备所述密封片以及多个所述半导体元件的准备工序;在所述准备工序之后,利用所述密封片将多个所述半导体元件一并密封的密封工序;以及,在所述密封工序之后,回收所述密封片以及多个所述半导体元件的回收工序。
根据该制造方法,准备密封片以及多个半导体元件,然后,利用密封片将多个半导体元件一并密封,然后,回收密封片以及多个半导体元件,因此能够将多个半导体元件一并密封,方便地制造具备多个半导体元件的半导体装置。因此,能够根据各种目的以及用途而使用多个半导体元件被密封片密封的半导体装置。
另外,在本发明的半导体装置的制造方法中,优选地,还包括除去所述密封片的多余部分的除去工序。
根据该制造方法,由于除去密封片的多余部分,因此能够获得所希望的形状的半导体装置。
另外,在本发明的半导体装置的制造方法中,优选地,所述准备工序包括将所述密封片相对于多个所述半导体元件定位的定位工序。
根据该制造方法,通过相对于多个半导体元件进行定位的定位工序,能够以高精度来密封多个半导体元件。因此,能够以高精度来制造半导体装置。
另外,在本发明的半导体装置的制造方法中,优选地,所述回收工序包括控制所述密封片的温度的密封片温度控制工序。
根据该制造方法,通过控制密封片的温度的密封片温度控制工序,能够有效地防止将多个半导体元件密封之后的密封片的变形。因此,能够制造所希望的形状的半导体装置。
另外,在本发明的半导体装置的制造方法中,优选地,所述密封工序包括:预先加热所述密封片的预备加热工序;以及,在所述预备加热工序之后,加热所述密封片而密封多个所述半导体元件的正式加热工序。
根据该制造方法,通过预备加热工序,使密封片柔软,然后,通过正式加热工序,能够可靠地密封半导体元件。因此,能够容易地将密封片整形为所希望的形状,并且能够利用所述密封片来密封半导体元件。其结果是,能够制造所希望的形状的半导体装置。
另外,在本发明的半导体装置的制造方法中,优选地,所述准备工序包括控制所述密封片的气氛的温度以及/或者湿度的气氛温度/湿度控制工序。
根据该制造方法,由于控制密封片的气氛的温度以及/或者湿度,因此能够以恒定的品质保持并保管密封半导体元件之前的密封片。因此,能够提高密封片对半导体元件的密封的精度。
另外,在本发明的半导体装置的制造方法中,优选地,在所述准备工序中,包括除去所述密封片的多余部分并且对所述密封片的外形形状进行整形的整形工序。
根据该制造方法,在准备工序中,由于除去密封片的多余部分,并且对密封片的外形形状进行整形,因此能够利用整形后的密封片以优异的操作性来密封半导体元件。
另外,在本发明的半导体装置的制造方法中,优选地,所述密封片被保护构件保护,所述准备工序以及/或者所述回收工序包括将所述保护构件从所述密封片剥离的剥离工序。
根据该制造方法,能够利用保护构件来保护密封片,并且通过剥离工序将半导体元件的密封所不需要的保护构件从密封片剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造