[发明专利]稀释剂组合物及其用途

说明书

本发明涉及一种稀释剂组合物及其用途。本发明的稀释剂组合物对各种光阻剂都具有优异的溶解力，且具有最适当的挥发性，因此能够在短时间内于边缘球状物移除工艺或类似工艺中有效地去除不必要附着的光阻剂，并且可应用于半导体基板的预润湿工艺，用少量的光阻剂也能够有效地形成感光膜。

技术领域

本发明涉及一种稀释剂组合物及其用途，更具体地涉及一种在半导体制造过程中能够用于光罩蚀刻工艺之各步骤的稀释剂组合物，以及使用该组合物形成感光膜的方法。

背景技术

光罩蚀刻(photo lithography)是一种使用光罩将预先设计好的图案复制到半导体基板上的感光膜，然后依据所复制的图案蚀刻基板或是下层膜的过程。

在光罩蚀刻工艺(photolithography process)中，光阻剂被涂布于半导体基板上以形成感光膜。并且，使用曝光设备将感光膜暴露于光线下，以投影出光罩的图案，之后，进行显影工艺制造出所需形状的感光膜图案。接着，使用感光膜图案蚀刻基板，其后，藉由剥离等方法将不再需要的感光膜图案从基板上移除。在此过程中，依据欲形成之图案的线宽使用诸如G-线(G-line)、I-线(I-line)、氟化氪(KrF)、氟化氩(ArF)、紫外光(ultravioletrays)、电子束(e-beam)、X射线(X-ray)等等各种光源。依据光源的种类、感光膜的性能等等，用于形成感光膜的光阻剂包括各种主要成分的树脂、光敏剂等等。

同时，在光罩蚀刻工艺中，稀释剂(thinner)组合物指的是对光阻剂具有溶解力，因而用于移除光阻剂或是作为稀释剂的物质。针对光阻剂的稀释剂组合物的溶解力取决于稀释剂组合物的化学成分以及光阻剂的化学结构。然而，由于所述化学结构会随光阻剂的种类而大幅改变，因此市售稀释剂组合物普遍都存有针对各种光阻剂无法具有固定溶解力的问题。具体来说，倘若稀释剂组合物对于光阻剂的溶解力不足，在用于移除不必要地附着于基板之光阻剂的边缘球状物移除工艺(Edge bead removing,EBR)中，或是在降低光阻剂消耗(Reducing resist consumption,RRC)涂布等等所使用之稀释剂组合物的预润湿(pre-wetting)工艺中，可能会产生瑕疵，因而可能会导致良率降低。

因此，需要开发出一种针对各种光阻剂具有进一步提高的溶解力的稀释剂组合物。

发明内容

本发明的目的在于提供一种稀释剂组成物，其对各种光阻剂具有进一步提高的溶解力，且可应用于形成感光膜的各种工艺中。

本发明的另一目的在于提供一种使用所述稀释剂组合物形成感光膜的方法。

依据本发明一实施例，提供一种包括有1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯(1-met hoxy-2-propanol acetate)以及乙二醇丙基醚(ethylene glycolpropyl ether)的稀释剂组合物。

所述稀释剂组合物可包括有20至80wt％的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯，以及20至80wt％的乙二醇丙基醚。

并且，所述稀释剂组合物可包括有40至80wt％的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯，以及20至60wt％的乙二醇丙基醚。

并且，乙二醇丙基醚可包括乙二醇单丙醚(ethylene glycol monoprop ylether)、乙二醇异丙醚(ethylene glycol isopropyl ether)及其混合物。

所述稀释剂组合物可进一步包括有界面活性剂，并且，以100重量份的稀释剂组合物为基淮，所述界面活性剂的含量可为0.001至0.1重量份。

同时，依据本发明另一实施例，提供一种感光膜的形成方法，包括有下列步骤：将光阻剂涂布于半导体基板上；以及将所述稀释剂组合物施用于所述基板上，以从基板移除至少一部分的光阻剂。