[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 201480008290.2 | 申请日: | 2014-02-17 |
公开(公告)号: | CN105074884A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,该基板处理装置包括:
具有内部空间的处理腔室,在所述内部空间中容纳有基板并且执行与所述基板相关的处理;
电热线加热器,所述电热线加热器布置在所述处理腔室的侧壁中,所述电热线加热器环绕所述内部空间进行布置以对所述基板进行加热;以及
冷却管,从外部供应的制冷剂在所述冷却管中流动,所述冷却管沿着所述处理腔室的所述侧壁布置在所述电热线加热器之间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述处理腔室包括布置在所述处理腔室的一侧上的入口端口,并且所述冷却管被放入所述入口端口中,并且
所述基板处理装置进一步包括供应管线,该供应管线连接至布置在所述入口端口上的所述冷却管以供应制冷剂。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,所述基板处理装置进一步包括布置在所述内部空间中的内部反应管,以将所述内部空间分隔成内侧与外侧,所述内部反应管具有处理空间,在所述处理空间中执行与所述基板相关的处理,并且
所述冷却管具有多个喷射孔,用于朝向所述内部反应管的外侧喷射制冷剂。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,所述基板处理装置进一步包括排气端口,所述排气端口与限定在所述处理腔室的上部中的排气孔连通,以将通过所述喷射孔喷射的制冷剂排放到外部。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其中所述喷射孔向上倾斜地布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造