[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

这里公开的本发明涉及一种基板处理装置，更具体地涉及这样一种基板处理装置，在该基板处理装置中，容易冷却安装在用于执行与基板有关的处理的处理腔室内的加热器以及处理腔室的内部温度。

背景技术

用于制造半导体、平板显示器、光伏电池等的基板处理装置可以是执行基本热处理过程的装置，用于使在诸如硅片或玻璃基板的基板上沉积的预定薄膜结晶以及转变相位。

一般来说，在制造液晶显示器或薄膜结晶硅光伏电池的情况下，有硅结晶装置用于将玻璃基板上沉积的非晶硅结晶成多晶硅。为了执行结晶处理，必须加热其上形成有预定薄膜的基板。例如，将非晶硅结晶的处理温度必须是约550℃至约600℃。

这种基板处理装置可分为在一个基板上执行基板处理过程的单晶片型基板处理装置和在多个基板上执行基板处理过程的批量型基板处理装置。单晶片型基板处理装置的优点在于其结构简单。但是，单晶片型基板处理装置的生产率会下降。由此，批量型基板处理装置就受到重视。

发明内容

技术问题

本发明提供了一种基板处理装置，在该基板处理装置中容易冷却用于加热基板的加热器以及处理腔室的内部温度。

参阅如下的详细说明以及附图将可了解本发明的进一步其它目的。

技术方案

本发明的实施方式提供了基板处理装置，该基板处理装置包括：具有内部空间的处理腔室，在所述内部空间中容纳有从外部传送来的基板并且执行与所述基板相关的处理；电热线加热器，所述电热线加热器布置在所述处理腔室的侧壁中，所述电热线加热器环绕所述内部空间进行布置以对所述基板进行加热；以及冷却管，从外部供应的制冷剂在所述冷却管中流动，所述冷却管沿着所述处理腔室的所述侧壁布置在所述电热线加热器之间。

在一些实施方式中，所述处理腔室可以包括布置在所述处理腔室的一侧上的入口端口，所述冷却管被放入所述入口端口中，并且所述基板处理装置可以进一步包括供应管线，该供应管线连接至布置在所述入口端口上的所述冷却管以供应制冷剂。

在其它实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括布置在所述内部空间中的内部反应管，以将所述内部空间分隔成内侧与外侧，所述内部反应管具有处理空间，在所述处理空间中执行与所述基板相关的处理，并且所述冷却管具有多个喷射孔，用于朝向所述内部反应管的外侧喷射制冷剂。

在又一些实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括排气端口，所述排气端口与限定在所述处理腔室的上部中的排气孔连通，以排放通过所述喷射孔喷射至所述外侧的制冷剂。

在再一些实施方式中，所述喷射孔可以向上倾斜地布置。

有益效果

根据本发明的实施方式，可以容易地冷却升高至预设温度的处理腔室的温度。

附图说明

图1是根据本发明的实施方式的基板处理装置的示意图；

图2是其中基板保持件被切换至图1中的处理位置的图；

图3是图1的处理腔室的放大图；

图4的(a)、(b)和(c)是示出了图3的喷射孔的布置的图；以及

图5是根据本发明的另一实施方式的基板处理装置的图。

具体实施方式

下面将参照图1至图4的(a)、(b)和(c)详细地描述本发明的示例性实施方式。但是，本发明可以以不同的形式被实施而不应被理解为限于这里所提出的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开全面且完整，并且向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见放大了层和区域的厚度。本领域技术人员明了的是，除了当前实施方式所述的基板W以外，本发明的实施方式也适用于要处理的各种物体。

典型地，基板处理装置可以分为在一个基板上执行基板处理过程的单晶片型基板处理装置和在多个基板上执行基板处理过程的批量型基板处理装置。单晶片型基板处理装置的优点在于其结构简单。但是，单晶片型基板处理装置的生产率会下降。由此，批量型基板处理装置就受到重视。

而且，为了执行结晶处理，基板处理装置包括加热器，该加热器用于加热其上形成有预定薄膜的基板，例如，使非晶硅结晶的处理温度，即腔室的内部温度可以为约550℃至约600℃。这里，处理所需的处理温度可以彼此不同。而且，可通过在基板，例如硅片，上重复执行沉积、摄影(图案形成)、蚀刻以及清洁处理而制造半导体器件。