[发明专利]使用可流动式CVD膜的HDD图案化

权利要求书

1.一种形成图案化的磁性基板的方法，所述方法包括：

在基板的磁致激活表面上形成图案化的抗蚀部；

通过可流动式CVD工艺在所述图案化的抗蚀部上形成氧化物层；

通过蚀刻所述氧化物层以形成具有开口的经蚀刻的氧化物层，以暴露所述图案化的抗蚀部的部分；

通过使用所述经蚀刻的氧化物层作为掩模来蚀刻所述图案化的抗蚀部以形成具有开口的经蚀刻的抗蚀层，以暴露所述磁致激活表面的部分；

通过引导能量穿过所述经蚀刻的抗蚀层的所述开口和所述经蚀刻的氧化物层的所述开口，对所述磁致激活表面的暴露部分的磁特性进行改性；以及

将所述经蚀刻的抗蚀层和所述经蚀刻的氧化物层从所述基板去除。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述图案化的抗蚀部的步骤包括物理图案化工艺。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述物理图案化工艺是纳米压印工艺，并且所述可流动式CVD工艺包括：使具有小于8的碳原子与硅原子之比的含硅前驱物与氧前驱物发生反应，以形成可流动的氧化物层，并且在小于150℃的温度下固化所述可流动的氧化物层，以形成所述氧化物层。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述可流动式CVD工艺是等离子体工艺。

5.如权利要求3所述的方法，其中固化可流动的氧化物层的步骤包括：使所述可流动的氧化物层暴露于感应耦合等离子体、紫外光、臭氧、电子束、酸性蒸气、碱性蒸气或上述各项的组合。

6.如权利要求1所述的方法，其中引导能量穿过所述经蚀刻的抗蚀层的所述开口和所述氧化物层的所述开口的步骤包括：将所述基板浸没到等离子体中。

7.如权利要求1所述的方法，其中被引导的所述能量包括离子、中子、自由基、光子、电子或上述各项的组合。

8.如权利要求1所述的方法，其中被引导的所述能量包括含氟离子。

9.如权利要求1所述的方法，其中使所述磁致激活表面的部分暴露于被引导穿过所述经蚀刻的抗蚀层中的所述开口和所述经蚀刻的氧化物层中的所述开口的能量的步骤包括：

提供含氟气体混合物至具有感应等离子体源的处理腔室；

从所述含氟气体混合物产生等离子体；以及

朝向所述基板引导来自所述等离子体的离子。

10.如权利要求3所述的方法，其中使所述磁致激活表面的部分暴露于被引导穿过所述经蚀刻的抗蚀层中的所述开口和所述经蚀刻的氧化物层中的所述开口的能量的步骤包括：

提供含氟气体混合物至具有感应等离子体源的处理腔室；

从所述含氟气体混合物产生等离子体；以及

在被选择用以在不行进穿过所述经蚀刻的抗蚀层的情况下注入到所述磁致激活表面中的能量下，朝向所述基板引导来自所述等离子体的离子。

11.一种形成图案化的磁性基板的方法，所述方法包括：

在基板的磁致激活表面上形成具有厚部和薄部的图案化的抗蚀部；

通过工艺在所述图案化的抗蚀部之上形成氧化物层，所述工艺包括：

使含硅前驱物与氧前驱物发生反应，以形成可流动的氧化物层；以及

在小于150℃的温度下固化所述可流动的氧化物层，以形成所述氧化物层；

通过蚀刻所述氧化物层以形成具有开口的经蚀刻的氧化物层，以暴露所述图案化的抗蚀部的部分；

通过使用所述经蚀刻的氧化物层作为掩模来蚀刻所述图案化的抗蚀部，以形成具有开口的经蚀刻的抗蚀层，以暴露所述磁致激活表面的部分；

通过引导能量穿过所述经蚀刻的抗蚀层的所述开口和所述经蚀刻的氧化物层的所述开口，对所述磁致激活表面的暴露部分的磁特性进行改性；以及

将所述经蚀刻的抗蚀层和所述经蚀刻的氧化物层从所述基板去除。

12.如权利要求11所述的方法，其中使用等离子体来执行使所述含硅前驱物与所述氧前驱物发生反应以形成所述可流动的氧化物层的步骤。