[发明专利]使用可流动式CVD膜的HDD图案化

说明书

技术领域

本文中描述的实施方式涉及磁性介质的制造方法。更具体地，本文中描述的实施方式涉及借助等离子体暴露的磁性介质的图案化。

背景技术

磁性介质被用于各种电子设备，所述电子设备诸如是硬盘驱动器和磁阻随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)设备。硬盘驱动器是用于计算机和相关设备的精选存储介质。硬盘驱动器可见于大多数的台式计算机和膝上型计算机中，并且也可见于用于收集和记录数据的诸如媒体记录器和播放器之类的许多消费电子设备和仪器中。硬盘驱动器还部署在网络存储装置阵列中。MRAM设备用于各种非易失性存储设备中，所述非易失性存储设备诸如是闪存驱动器以及动态随机存取存储器(DRAM)设备。

磁性介质设备使用磁场来存储和检索信息。在硬盘驱动器中的磁盘被配置有磁畴，这些磁畴可由磁头分别寻址。磁头移动为接近于磁畴，并且更改所述畴的磁特性以便记录信息。为了重新获得所记录的信息，磁头移动为接近于所述畴，并且检测所述畴的磁特性。畴的磁特性一般解释为对应于两个可能状态(“0”状态和“1”状态)中的一个状态。以此方式，可将数字信息记录在磁性介质上，并且此后可重新获得该数字信息。

磁性存储介质通常包括上面沉积有磁致激活(magnetically active)材料的非磁性的玻璃、复合玻璃/陶瓷、或金属基板。磁致激活材料一般被沉积以形成图案，或在沉积之后被图案化，使得器件的表面具有散布有磁性非活动(magnetic inactivity)区域的磁性活动(magnetic activity)区域。

近来，存储密度已经增加，这导致从根据同心磁道来图案化磁性介质的历史方法向位元图案化布置(bit-patterned arrangement)的变迁。磁致激活层或磁致激活层的一部分经受产生被磁性非活动区域所围绕的像岛状物的磁性活动区域的工艺。此类方法使得存储密度上的进展能够超过1TB/in²，但是随着岛状物的尺寸收缩，也出现了其他挑战。

较新的图案化方法依赖于诸如纳米压印图案化之类的物理图案化，以产生具有必要尺寸的图案。这样的图案化依赖于经常容易受到把图案转移至下层的后续处理损坏的可压印介质。在这样的后续工艺期间的图案劣化可能是极端的。因此，为了实现大批量制造，需要一种将磁性介质图案化的工艺或方法，以及一种用于高效地执行所述工艺或方法的装置。

发明内容

本文描述的实施方式提供了一种通过以下步骤来形成图案化的磁性基板的方法：在基板的磁致激活表面上形成具有厚部和薄部的图案化的抗蚀部；通过可流动式CVD工艺在所述图案化的抗蚀部之上形成氧化物层；通过蚀刻所述氧化物层以形成经蚀刻的氧化物层，使所述图案化的抗蚀部的部分暴露出来；通过使用所述经蚀刻的氧化物层作为掩模来蚀刻所述图案化的抗蚀部以形成经蚀刻的抗蚀层，使所述磁致激活表面的部分暴露出来；通过引导能量穿过所述经蚀刻的抗蚀层和所述经蚀刻的氧化物层，对所述磁致激活表面的暴露部分的磁特性进行改性；以及将所述经蚀刻的抗蚀层和所述经蚀刻的氧化物层从所述基板去除。

还描述了一种用于对基板进行处理的装置，所述装置具有基板搬运部分，所述基板搬运部分通过一个或多个装载锁定腔室耦接至基板处理部分，所述基板处理部分包括耦接至传送腔室的可流动式CVD腔室、等离子体蚀刻腔室以及一个或多个等离子体浸没腔室，并且所述基板搬运部分包括装载部分、传送部分和接口部分。

附图说明

因此，以可详细地理解本发明的上述特征的方式，可参照实施方式获得上文简要概述的本发明的更具体的描述，一些实施方式图示在附图中。然而，应注意，附图仅图示了本发明的典型实施方式，并且附图不应因此被视为对本发明的范围的限制，因为本发明可允许其他等效实施方式。

图1是概述根据一个实施方式的方法的流程图。

图2A至图2I示出处于经历图1的方法的各种阶段的基板。

图3是概述根据另一实施方式的方法的流程图。

图4A至图4C示出处于经历图3的方法的各种阶段的基板。

图5是根据另一实施方式的装置的平面图。

为促进理解，已尽可能使用相同的附图标记来标示各图所共有的相同元件。应预期，在一个实施方式中公开的元件可有益地用于其他实施方式，而无需赘述。

具体实施方式