[发明专利]用于垂直NAND性能增强和垂直缩放的局部埋入沟道电介质

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

在位线和源极之间的垂直堆叠中的多层的存储单元；

具有第一区域和第二区域的沟道，所述第一区域用于在所述沟道的第一端和所述位线之间传导电荷，所述第二区域用于在所述沟道的第二端和所述源极之间传导电荷，所述沟道用于在所述存储单元处创建电场；

选择栅，位于所述沟道的所述第一端，用于选择性地控制在所述位线与所述沟道之间的传导；

在所述沟道的所述第一区域附近的至少一个伪存储单元层；以及

电介质，在所述选择栅和所述至少一个伪存储单元层附近在所述第一区域垂直延伸通过所述沟道的仅一部分。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中

所述沟道包括多晶硅材料。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其中

所述存储单元包括非易失性存储单元。

4.如权利要求1所述的存储器装置，还包括对应于每个存储单元的字线。

5.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述非易失性存储单元包括浮动栅(FG)存储单元或电荷陷阱闪存(CTF)存储单元。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包括固态驱动器(SSD)的一部分。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包括存储器装置的阵列的一部分。

8.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包括堆叠的垂直NAND串的一部分。

9.一种固态驱动器，具有垂直存储阵列，包括：

非易失性存储器装置，包括：

NAND存储单元的垂直串，所述串在位线和源极之间延伸；

具有第一区域和第二区域的第一沟道，所述第一区域用于在所述沟道的第一端和所述位线之间传导电荷，所述第二区域用于在所述沟道的第二端和所述源极之间传导电荷，所述沟道用于提供电场来编程所述NAND存储单元；

在所述沟道的所述第一端处的选择栅，用于选择性地控制所述位线和所述沟道之间的传导；

在所述沟道的所述第一区域附近的至少一个假存储单元层；

电介质，在所述选择栅和所述至少一个伪存储单元层附近在所述第一区域垂直延伸通过所述沟道的仅一部分；以及

控制器，用于控制所述非易失性存储器装置和主机计算机之间的访问。

10.如权利要求9所述的固态驱动器，其中所述沟道

包括多晶硅材料。

11.如权利要求9所述的固态驱动器，其中所述NAND存储单元包括浮动栅(FG)存储单元或电荷陷阱闪存(CTF)存储单元。

12.如权利要求9所述的固态驱动器，还包括对应于每个存储单元的字线。

13.如权利要求9所述的固态驱动器，其中所述电介质包括氧化物材料。

14.如权利要求9所述的固态驱动器，其中所述非易失性存储器装置进一步包括：在所述沟道的所述第二区域附近的至少一个伪存储单元层。

15.如权利要求9所述的固态驱动器，其中所述沟道的所述第一端处的所述选择栅包括第一选择栅，并且所述非易失性存储器装置还包括：

所述沟道的所述第二端处的第二选择栅，用于选择性地控制所述位线和所述源极之间的传导。

16.一种用于形成三维存储器结构的方法，包括：

形成用于垂直NAND串的沟道，所述沟道包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于在所述沟道的第一端和位线之间传导电荷，所述第二区域用于在所述沟道的第二端和源极之间传导电荷，所述垂直NAND串包括在所述位线和所述源极之间的垂直堆叠中的多层的存储单元，并且包括在所述沟道的所述第一区域附近的至少一个假存储单元层；

在所述第一区域所述第一端处蚀刻所述沟道的仅一部分，包括在蚀刻后保留所述沟道的至少一部分；

在所述沟道的蚀刻的部分中形成电介质材料，所述电介质材料在所述沟道中形成以便在选择栅和所述至少一个伪存储单元层附近在所述第一区域垂直延伸通过所述沟道的仅一部分；以及

在所述电介质材料的表面上形成沟道帽。