[发明专利]具有增大沟道区有效宽度的非易失性存储器单元及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器装置阵列，包括：

半导体材料衬底，所述衬底具有第一导电类型和顶表面；

间隔开的隔离区，所述隔离区形成在所述衬底中并且基本上彼此平行并在第一方向上延伸，其中每对相邻隔离区之间有一个有源区；

所述隔离区各自包括形成到所述衬底的顶表面中并且延伸到低于所述衬底的顶表面的沟槽以及形成在所述沟槽中的绝缘材料，其中所述绝缘材料顶表面的至少若干部分凹陷以低于所述衬底的所述顶表面；

所述有源区各自包括一列存储器单元，其中所述存储器单元各自包括：

间隔开的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域沿着所述衬底的顶表面形成并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，其中所述衬底的沟道区设置在所述第一区域与所述第二区域之间，

浮栅，所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且与之绝缘，以及

选择栅，所述选择栅设置在所述沟道区的第二部分上方并且与之绝缘；

其中所述选择栅被形成为连续字线，所述连续字线各自在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并且各自形成用于每列存储器单元中的一个所述存储器单元的所述选择栅，并且其中每条所述字线的若干部分向下延伸到所述沟槽中并且在所述隔离区中的所述绝缘材料上方延伸，使得针对每个存储器单元：

所述字线的第一部分设置在所述衬底的所述顶表面上方并与所述衬底的所述顶表面绝缘，

所述字线的第二部分邻近于所述沟槽中的一个的第一侧壁横向设置并与所述沟槽中的一个的第一侧壁绝缘，所述沟槽从所述衬底的顶表面向下延伸，

所述字线的第三部分邻近于所述沟槽中的另一个的第二侧壁横向设置并与所述沟槽中的另一个的第二侧壁绝缘，所述沟槽从所述衬底的顶表面向下延伸，

使得所述衬底的所述顶表面和第一侧壁以及第二侧壁的与所述字线相邻的相应部分形成沟道区；并且

其中每个浮栅是设置在所述衬底的所述顶表面上方并且与所述衬底的所述顶表面绝缘的导电材料，其中所述浮栅没有任何部分延伸到任何所述沟槽中。

2.根据权利要求1所述的存储器装置阵列，其中所述存储器单元各自还包括：

控制栅，所述控制栅设置在所述浮栅上方并且与之绝缘；以及

擦除栅，所述擦除栅设置在所述第一区域上方并且与之绝缘。

3.根据权利要求2所述的存储器装置阵列，其中针对所述存储器单元中的每一个，所述浮栅的一部分设置在所述第一区域上方并且与之绝缘。