[发明专利]用于半导体封装的衬底及其形成方法

权利要求书

1.一种形成用于半导体封装的衬底的方法，所述方法包括：

提供载体；

在所述载体上形成多个外垫，且所述形成在载体上的外垫限定了第一导电层；

实施模塑操作以便在所述载体上以模塑化合物形成第一绝缘层，其中所述第一导电层被埋在所述第一绝缘层中；以及

在所述第一导电层上形成多个接合垫、多个导电线路及多个微通孔中的一个或多个，且所述形成在所述第一导电层上的接合垫、导电线路及微通孔中的一个或多个限定了第二导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在载体上形成所述第一导电层的步骤包括：

在载体上形成光阻层；

图案化所述光阻层以便在所述光阻层中形成多个开口；

在形成于所述光阻层中的开口中沉积一个或多个金属层以形成所述第一导电层；以及

移除所述光阻层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述模塑化合物包括树脂及一个或多个填料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述模塑化合物包括在大约70重量百分比与大约95重量百分比间的一个或多个填料。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述模塑化合物具有在大约5与大约15百万分率每摄氏度(ppm/℃)之间的热膨胀系数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中多个第一微通孔形成在外垫上，且第一微通孔限定所述第二导电层，其中所述接合垫及多个第一导电线路中的一个或多个形成在所述第二导电层上且限定了第三导电层，且其中所述第一微通孔电气连接所述外垫与所述第三导电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在实施所述模塑操作以便在所述载体上形成所述第一绝缘层之前，在所述外垫上形成所述第一微通孔，且其中在所述模塑操作后，所述第一微通孔被埋在所述第一绝缘层中。

8.根据权利要求6所述的方法，其中通过使用具有突起图案的模部分，在所述模塑操作时，在所述第一绝缘层中形成用于所述第一微通孔的多个微通孔洞，所述突起图案对应于在所述第一绝缘层中的微通孔洞的配置。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括通过激光钻孔及机械钻孔中的一个在所述第一绝缘层中形成用于所述第一微通孔的多个微通孔洞。

10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括在之前的导电层上形成微通孔的层。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述第一绝缘层上形成一个或多个连续绝缘层，所述一个或多个连续绝缘层包括焊料掩模、模塑化合物、编织玻璃纤维层压体、底漆、树脂涂布铜(RCC)薄膜以及具有金属箔的预浸体或编织玻璃层压体中的一个或多个。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括通过光刻、激光钻孔及机械钻孔中的一个，在所述一个或多个连续绝缘层中的一个中形成多个微通孔洞。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在接合垫及导电线路中的一个或多个形成在导电层上之前，在所述第一绝缘层、所述一个或多个连续绝缘层以及所述导电层中的一个或多个上形成导电薄膜层。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括下述步骤中的一个或两个：

在形成所述导电薄膜层之前，粗化所述第一或连续绝缘层和/或导电层的表面；以及

在形成所述导电薄膜层之前，化学活化所述第一或连续绝缘层的表面键。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述模塑操作包括：

将其上形成有所述第一导电层的载体放在由第一模部分及第二模部分限定的模腔中；

通过注入或压缩以处于液态或熔融状态的所述模塑化合物填装所述模腔；

硬化所述模塑化合物以便在所述载体上形成所述第一绝缘层。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括以金属箔内衬所述第一模部分，其中在所述模塑化合物硬化时，所述金属箔粘着在所述模塑化合物上。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述金属箔具有小于大约30微米(μm)的厚度。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述金属箔被设置在支持层上。