[发明专利]烧结体、包含该烧结体的磁记录膜形成用溅射靶

权利要求书

1.一种烧结体，其至少含有钴作为金属、且包含硼和/或选自铂族元素中的一种以上金属或合金以及氧化物，其特征在于，在包含所述氧化物的相中存在Cr(BO₃)、Co₂B₂O₅、Co₃B₂O₆中的至少一种以上，硼与氧的原子比为B/O≤0.5。

2.一种烧结体，其至少含有钴作为金属、且包含铬、硼和/或选自铂族元素中的一种以上金属或合金以及氧化物，其特征在于，在包含所述氧化物的相中存在Cr(BO₃)、Co₂B₂O₅、Co₃B₂O₆中的至少一种以上。

3.如权利要求1所述的烧结体，其特征在于，在烧结体与水接触或浸渍在水中时，烧结体表面无变色。

4.如权利要求2所述的烧结体，其特征在于，在烧结体与水接触或浸渍在水中时，烧结体表面无变色。

5.如权利要求2或4中任一项所述的烧结体，其特征在于，铬与硼的原子比为Cr/B≥1。

6.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，在金属成分的比率中，铬的含量为0～50摩尔％，硼和/或铂族元素的含量为0～40摩尔％，但硼和/或铂族元素的含量不包括0摩尔％，其余为钴。

7.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，氧化硼的含量按B₂O₃换算为0.5～10摩尔％。

8.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，氧化铬的合计含量按Cr₂O₃换算为0.5～10摩尔％。

9.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，还含有以选自Al、Co、Cu、Fe、Ga、Ge、Hf、Li、Mg、Mn、Mo、Nb、Ni、Sb、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、Y、Zn或Zr中的一种以上元素作为构成成分的氧化物，且总氧化物量按氧换算为2～8重量％。

10.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，烧结体中的氧化物的每一个粒子的平均面积为2μm²以下。

11.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，还含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自Ti、V、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、W中的一种以上元素。

12.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，还含有选自碳、氮化物、碳化物中的一种以上。

13.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，相对密度为95％以上。

14.一种磁记录膜形成用溅射靶，其包含权利要求1～13中任一项所述的烧结体。

15.一种烧结体的制造方法，其特征在于，将至少作为金属的钴、硼和/或选自铂族元素中的一种以上金属或合金与Cr(BO₃)、Co₂B₂O₅、Co₃B₂O₆中的至少一种以上氧化物混合并进行烧结。

16.一种烧结体的制造方法，其特征在于，将至少作为金属的钴、铬、硼和/或选自铂族元素中的一种以上金属或合金与Cr(BO₃)、Co₂B₂O₅、Co₃B₂O₆中的至少一种以上氧化物混合并进行烧结。